申请/专利权人：西南技术物理研究所

申请日：2023-12-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117871614A

主分类号：G01N27/04

分类号：G01N27/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明属于硅基半导体芯片扩展电阻测试领域，公开了一种改善扩展电阻测试纵向杂质分布准确性的方法，具体步骤如下：步骤一、采用台阶仪对经过扩展电阻测试的样品进行角度校准；步骤二、将经过扩展电阻测试的样品在50倍显微镜下进行针痕校准，测算出针痕起始点与分界线之间相隔的点数a；步骤三、重新对该样品进行扩展电阻测试，根据步骤二的结果将a+b个测试点放在分界线的左侧；步骤四、将重新测试的样品在50倍显微镜下进行针痕循迹，找出分界线左边的点数c，在后续的结果分析中将多余的c个点数去除，并将步骤一测试得到的真实角度值赋予第二次的扩展电阻测试结果。本发明能对实际制备样品的角度进行校准，并且对实际测试点位进行校准。

主权项：1.一种改善扩展电阻测试纵向杂质分布准确性的方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤一、采用台阶仪对经过扩展电阻测试的样品进行角度校准；步骤二、将经过扩展电阻测试的样品在50倍显微镜下进行针痕校准，测算出针痕起始点与分界线之间相隔的点数a；步骤三、重新对该样品进行扩展电阻测试，根据步骤二的结果将a+b个测试点放在分界线的左侧；步骤四、将重新测试的样品在50倍显微镜下进行针痕循迹，找出分界线左边的点数c，在后续的结果分析中将多余的c个点数去除，并将步骤一测试得到的真实角度值赋予第二次的扩展电阻测试结果。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西南技术物理研究所 一种改善扩展电阻测试纵向杂质分布准确性的方法

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