申请/专利权人：深圳先进电子材料国际创新研究院;中国科学院深圳先进技术研究院

申请日：2023-12-01

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117866456A

主分类号：C08L101/12

分类号：C08L101/12;C08L67/04;C08L71/12;C08K7/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供了一种低介电常数液晶聚合物及其制备方法和应用。本发明通过合成复合材料的方式，降低了空心二氧化硅与液晶聚合物复合材料的介电常数；在制备过程中，空心二氧化硅与液晶聚合物之间相容性良好，能够充分发挥各组分材料的特性，使得复合材料具有优异的宏观性能；将空心二氧化硅引入到液晶聚合物中，有效保证了复合材料的介电常数和损耗；同时，空心二氧化硅的引入还能提升液晶聚合物复合材料的高热稳定性、氧化稳定性、耐化学性和低湿性等性能。本发明的制备方法具有以下优点：制备过程简单、成本低廉、环境友好。通过本发明的方法，可以大规模生产低介电常数液晶聚合物复合材料，满足相关领域对性能优异的材料的需求。

主权项：1.一种低介电常数液晶聚合物，其特征在于，包括以下重量份组分：70～90份液晶聚合物、10～20份空心二氧化硅、1～2份抗氧化剂、20～30份溶剂。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳先进电子材料国际创新研究院;中国科学院深圳先进技术研究院 一种低介电常数液晶聚合物及其制备方法和应用

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