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【发明公布】功率二极管元件及其制造方法_上海新进芯微电子有限公司_202310577648.4 

申请/专利权人:上海新进芯微电子有限公司

申请日:2023-05-22

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN117878135A

主分类号:H01L29/06

分类号:H01L29/06;H01L21/329;H01L29/861

优先权:["20221012 TW 111138688"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要:本公开涉及一种功率二极管元件。所述功率二极管元件包含衬底。所述衬底包含具有第一导电类型的核心层、具有所述第一导电类型的第一扩散层、具有第二导电类型的第二扩散层及具有所述第二导电类型的重掺杂区。所述核心层的厚度大于所述第二扩散层的厚度。所述重掺杂区往所述核心层延伸以与所述核心层形成第一PN结。本公开还涉及一种制造所述功率二极管元件的方法。

主权项:1.一种功率二极管元件,包括:衬底,其包含:具有第一导电类型的核心层,所述核心层具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面;具有所述第一导电类型的第一扩散层,所述第一扩散层具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面;具有第二导电类型的第二扩散层,所述第二扩散层具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面,其中所述核心层的厚度大于所述第二扩散层的厚度,其中所述核心层位于所述第一扩散层与所述第二扩散层之间,使所述核心层的所述第一表面面对所述第一扩散层的所述第二表面,以及使所述核心层的所述第二表面面对所述第二扩散层的所述第一表面,且所述第二扩散层的所述第二表面形成所述衬底的上表面,及所述第一扩散层的所述第一表面形成所述衬底的下表面;及具有所述第二导电类型的重掺杂接触区,所述重掺杂接触区具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面,所述重掺杂接触区的所述第二表面与所述第二扩散层的所述第二表面共平面,且所述重掺杂接触区往所述核心层延伸,使所述重掺杂接触区的所述第一表面达到所述核心层的所述第二表面,或达到所述核心层的所述第一表面及所述核心层的所述第二表面之间但不达到所述核心层的所述第一表面,以使所述重掺杂接触区与所述核心层形成第一PN结。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海新进芯微电子有限公司 功率二极管元件及其制造方法

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