申请/专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877967A

主分类号：H01L21/288

分类号：H01L21/288;H01L21/3213;C25D3/38

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明属于半导体集成电路技术领域，提供了一种电镀Cu电极图案化方法。本发明通过在集成电路基板TiCu层沉积、电镀光阻图案制作、电镀Cu沉积均完成后，在基板上方进行Ni离子注入处理，在电镀Cu上形成CuNi合金层，接着将电镀光阻剥离，使未被电镀Cu覆盖的TiCu种子层露出，将剥离电镀光阻后的基板置于Cu刻蚀液中刻蚀，将未被电镀Cu覆盖的TiCu种子层刻蚀掉，得到图案化的电镀Cu电极，CuNi合金层可减缓电镀Cu被Cu刻蚀液刻蚀，减小了电镀Cu膜层被减薄的厚度，由此可降低基板上电镀Cu膜层沉积厚度，降低电镀Cu膜层应力，减小基板翘曲，提高金属电极和基板间的附着力。

主权项：1.一种电镀Cu电极图案化方法，其特征在于，包括如下步骤：1取已完成TiCu层沉积、电镀光阻图案制作、电镀Cu沉积的基板，在基板的电镀Cu表面进行Ni离子注入处理，形成CuNi合金层；2将电镀光阻剥离，使未被电镀Cu覆盖的TiCu种子层露出；3将剥离电镀光阻后的基板置于Cu刻蚀液中刻蚀，将未被电镀Cu覆盖的TiCu种子层刻蚀掉，得到图案化的电镀Cu电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市矩阵多元科技有限公司 一种电镀Cu电极图案化方法

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