申请/专利权人：苏州皓申智能科技有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117867631A

主分类号：C25F5/00

分类号：C25F5/00;C25D5/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，涉及太阳能电池片电镀蚀刻技术领域，具体包括以下步骤：S01：去胶处理：对电镀后的电池片进行去胶处理；S02：反电解处理：对上述去胶后的电池片放入电镀铜的槽液中，通入适当电流，通电后电池片作为阳极，通过电荷移动，将电池片上的铜，转变成铜离子，氧化去除电池片上PVD铜种子层；S03：铜离子回收：在槽液中铜离子浓度达到一定量，开启正向电镀，用不锈钢板作为阴极，将槽液中铜离子电镀到不锈钢板上。本发明采用反电解的方法去除PVD铜种子层，是利用金属铜在得到电子的时候，发生氧化反应，0价的铜变成﹢2价铜，从而达到去除PVD铜种子层的目的。

主权项：1.一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，其特征在于：具体包括以下步骤：S01：去胶处理：对电镀后的电池片进行去胶处理；S02：反电解处理：对上述去胶后的电池片放入电镀铜的槽液中，通入适当电流，通电后电池片作为阳极，通过电荷移动，将电池片上的铜，转变成铜离子，氧化去除电池片上PVD铜种子层；S03：铜离子回收：在槽液中铜离子浓度达到一定量，开启正向电镀，用不锈钢板作为阴极，将槽液中铜离子电镀到不锈钢板上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州皓申智能科技有限公司 一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法

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