申请/专利权人：山东中科际联光电集成技术研究院有限公司

申请日：2024-01-24

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117872692A

主分类号：G03F7/42

分类号：G03F7/42;H01S5/042

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及一种半导体晶圆表面电极金属的剥离液及剥离方法，属于光通讯技术领域。所述剥离液为去离子水溶液，去离子水溶液温度为80‑100℃。将浸泡高温剥离液改为浸泡高温去离子水，避免有机溶液的浪费。所述的半导体晶圆表面电极金属的剥离方法，利用上述的半导体晶圆表面电极金属的剥离液高温水浴软化金属下方的光刻胶，使用异丙醇脱水，最后使用蓝膜将需要剥离的金属整体剥离。利用高温水浴软化金属下方的光刻胶，使用异丙醇脱水，最后使用蓝膜将需要剥离的金属整体剥离的过程；采用本方法可以大大简化在Ⅲ‑Ⅴ族有源器件晶圆的金属剥离工艺。

主权项：1.一种半导体晶圆表面电极金属的剥离液，其特征在于，所述剥离液为去离子水溶液，去离子水溶液温度为80-100℃。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司 半导体晶圆表面电极金属的剥离液及剥离方法

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