申请/专利权人：长电科技管理有限公司

申请日：2024-01-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878096A

主分类号：H01L23/538

分类号：H01L23/538;H01L23/64;H01L21/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：一种封装结构及其形成方法，所述封装结构，包括：第一基板；第一半导体芯片，贴装在所述第一基板的下表面；第一波导传输结构，位于所述第一基板中，所述第一波导传输结构与所述第一半导体芯片电连接；覆盖在所述第一基板的上表面上的塑封层；位于所述塑封层中的矩形波导，且所述矩形波导位于所述第一波导传输结构上方；第二基板，贴装在所述塑封层的上表面上，所述第二基板包括相对的上表面和下表面；第二波导传输结构，位于所述第二基板中，且所述第二波导传输结构位于所述矩形波导上方；第二半导体芯片，贴装在所述第二基板的上表面，所述第二半导体芯片与所述第二波导传输结构电连接。实现多层结构的封装结构中毫米波射频信号的低损耗传输。

主权项：1.一种封装结构，其特征在于，包括：第一基板，所述第一基板包括相对的上表面和下表面；第一半导体芯片，贴装在所述第一基板的下表面；第一波导传输结构，位于所述第一基板中，所述第一波导传输结构与所述第一半导体芯片电连接；覆盖在所述第一基板的上表面上的塑封层；位于所述塑封层中的矩形波导，且所述矩形波导位于所述第一波导传输结构上方；第二基板，贴装在所述塑封层的上表面上，所述第二基板包括相对的上表面和下表面；第二波导传输结构，位于所述第二基板中，且所述第二波导传输结构位于所述矩形波导上方；第二半导体芯片，贴装在所述第二基板的上表面，所述第二半导体芯片与所述第二波导传输结构电连接，且所述第一半导体芯片用于产生第一毫米波射频信号，所述第一毫米波射频信号通过所述第一波导传输结构、所述矩形波导和所述第二波导传输结构传输给所述第二半导体芯片接收，或者所述第二半导体芯片用于产生第二毫米波射频信号，所述第二毫米波射频信号通过所述第二波导传输结构、所述矩形波导和所述第一波导传输结构传输给所述第一半导体芯片接收。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长电科技管理有限公司 封装结构及其形成方法

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