申请/专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877968A

主分类号：H01L21/288

分类号：H01L21/288;C25D5/48;C25D5/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明属于半导体集成电路技术领域，提供了一种电镀Cu电极图案化方法。在电镀Cu电极图案化的过程中，本发明预先在已完成TiCu层沉积、电镀光阻图案制作、电镀Cu沉积的基板上进行Arplasma处理，使电镀光阻表面变粗糙，然后沉积金属氧化物膜，并得到非连续膜层，将电镀光阻剥离，而电镀Cu表面的金属氧化物膜则被保留，未被电镀Cu覆盖的TiCu种子层露出，在随后的刻蚀过程中，由于电镀Cu被上方覆盖的金属氧化物膜层所保护，故电镀Cu膜层厚度不变，未被减薄，如此无需在图案化前预先增加电镀Cu层的厚度，可以降低电镀Cu膜层沉积厚度，降低电镀Cu膜层应力，减小基板翘曲，提高金属电极和基板间的附着力。

主权项：1.一种电镀Cu电极图案化方法，其特征在于，包括如下步骤：1取已完成TiCu层沉积、电镀光阻图案制作、电镀Cu沉积的基板，在基板的表面进行氩等离子体处理；2在基板上沉积金属氧化物膜层，所述电镀光阻表面的金属氧化物膜层为非连续膜层，所述金属氧化物膜层选自掺锡氧化铟膜、铟锌氧化物膜、氧化铟镓锌膜、氧化铟镓膜中的至少一种；3将电镀光阻剥离，电镀Cu表面的金属氧化物膜层被保留，未被电镀Cu覆盖的TiCu层露出；4将剥离电镀光阻后的基板置于Cu刻蚀液中进行刻蚀，将未被电镀Cu覆盖的TiCu层刻蚀除去；5将电镀Cu表面的金属氧化物膜层刻蚀除去，得到电镀Cu图案。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市矩阵多元科技有限公司 一种电镀Cu电极图案化方法

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