申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877998A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L21/67;G01N23/2251

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本公开提供了一种外延晶圆的线性缺陷检测方法、装置及存储介质；该方法包括：从待测外延晶圆表面的激光粒子扫描图像中获取所述待测外延晶圆表面的缺陷图像；根据所述缺陷图像中所呈现的缺陷角度、长度以及图像放大比例从所述激光粒子扫描图像中确定所述待测外延晶圆表面存在的线性缺陷。

主权项：1.一种外延晶圆的线性缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：从待测外延晶圆表面的激光粒子扫描图像中获取所述待测外延晶圆表面的缺陷图像；根据所述缺陷图像中所呈现的缺陷角度、长度以及图像放大比例从所述激光粒子扫描图像中确定所述待测外延晶圆表面存在的线性缺陷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种外延晶圆的线性缺陷检测方法、装置及存储介质

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