申请/专利权人：杭州乾晶半导体有限公司

申请日：2024-01-03

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117867648A

主分类号：C30B23/00

分类号：C30B23/00;C30B29/36

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及碳化硅晶体制备领域，特别涉及一种碳化硅晶体扩径生长装置及碳化硅晶体扩径生长方法。包括具有多孔石墨扩径环的石墨扩径装置，多孔石墨扩径环作为气道，用于在碳化硅晶体扩径生长的过程中释放掉积聚的生长气氛，多孔石墨扩径环既保证了排气的通畅性，又解决了碳化硅籽晶边缘生长的多晶阻碍碳化硅晶体扩径的问题，并且，沿石墨扩径装置的轴向且远离碳化硅籽晶的方向上，多孔石墨扩径环的孔隙率逐渐降低，从而控制石墨坩埚内的生长气氛，保证前期生长气氛过量时可以及时排出，生长后期生长气氛不足时减少排出量，从而提升碳化硅晶体的生长速率。同时，在扩径装置周围设置有石墨硬毡作为保温材料，保持碳化硅晶体生长的合理的温度梯度。

主权项：1.一种碳化硅晶体扩径生长装置，其特征在于，包括：石墨坩埚、硬质石墨环、石墨扩径装置、石墨托；所述石墨坩埚用于盛放碳化硅原料，所述石墨坩埚具有石墨坩埚盖板；所述硬质石墨环固定于所述石墨坩埚内侧壁；所述石墨扩径装置设置于硬质石墨环上方；所述石墨托的其中一面固定有碳化硅籽晶，所述石墨托设置于所述石墨扩径装置上方，所述碳化硅籽晶朝向所述石墨坩埚内；其中，所述石墨扩径装置包括多孔石墨扩径环和硬质石墨扩径环，所述多孔石墨扩径环和硬质石墨扩径环依次间隔且同轴堆叠，所述石墨扩径装置的横截面直径在远离所述碳化硅籽晶的方向上逐渐增大。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州乾晶半导体有限公司 碳化硅晶体扩径生长装置及碳化硅晶体扩径生长方法

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