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【发明公布】一种单原子钌修饰蓝黑二氧化钛膜电极及其制备方法和应用_中国矿业大学(北京)_202410043718.2 

申请/专利权人:中国矿业大学(北京)

申请日:2024-01-11

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN117865289A

主分类号:C02F1/461

分类号:C02F1/461;C02F1/467;C02F101/30

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要:本发明提供一种单原子钌修饰蓝黑二氧化钛膜电极及其制备方法和应用,单原子钌修饰蓝黑二氧化钛膜电极的孔径为200‑500μm,孔隙率为75%‑90%,钌的负载量为0.2‑1.0wt%。其中,制备方法包括以下步骤:步骤S1,3D打印三维有序多孔二氧化钛膜电极;步骤S2,将所述三维有序多孔二氧化钛膜电极进行电化学还原处理,得到蓝黑二氧化钛膜电极;步骤S3,将所述蓝黑二氧化钛膜电极置于钌前驱体分散液中,进行紫外光照处理,得到单原子钌修饰蓝黑二氧化钛膜电极。根据本发明实施例的单原子钌修饰蓝黑二氧化钛膜电极,兼具优异的析氯、·OH激发活性和稳定性,能够明显强化电极传质和电子传输,从而更加高效、绿色地氧化去除含盐废液中的难降解有机污染物。

主权项:1.一种单原子钌修饰蓝黑二氧化钛膜电极,其特征在于,膜电极的孔径为200-500μm,孔隙率为75%-90%,钌的负载量为0.2-1.0wt%。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国矿业大学(北京) 一种单原子钌修饰蓝黑二氧化钛膜电极及其制备方法和应用

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