申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所

申请日：2024-01-16

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117865663A

主分类号：C04B35/16

分类号：C04B35/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及一种低介低损耗LTCC材料及其制备方法和生瓷带，所述低介低损耗LTCC材料由陶瓷填充相和玻璃低烧助剂混合制备而成，其中，所述陶瓷填充相为镧硼硅酸盐系微波介质陶瓷LaBSiO5，所述玻璃低烧助剂为La2O3‑B2O3玻璃。本发明低介低损耗LTCC材料以具有低介低损耗特性且烧结温度较低＜1200℃的镧硼硅酸盐系微波介质陶瓷为陶瓷填充相，以La2O3‑B2O3玻璃为玻璃低烧助剂，降低了陶瓷玻璃体系的损耗，降低了低介低损耗LTCC材料的烧结温度，使得LaBSiO5系材料能够在低于900℃的温度范围内烧结，且具有优异的微波介电性能，使得采用LTCC生瓷带制备成的LTCC基板材料具有较低的介电常数和介电损耗。

主权项：1.一种低介低损耗LTCC材料，其特征在于，其由陶瓷填充相和玻璃低烧助剂混合制备而成，其中，所述陶瓷填充相为镧硼硅酸盐系微波介质陶瓷LaBSiO5，所述玻璃低烧助剂为La2O3-B2O3玻璃。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第四十三研究所 一种低介低损耗LTCC材料及其制备方法和生瓷带

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