申请/专利权人：成都频岢微电子有限公司

申请日：2022-06-21

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN114899560B

主分类号：H01P1/20

分类号：H01P1/20;H01P7/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.08.30#实质审查的生效;2022.08.12#公开

摘要：本发明公开了一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器，其特征在于，包括：金属屏蔽腔；介质基板；金属银层；谐振器；金属化通孔；金属带；所述介质基板和金属银层设置于金属屏蔽腔内；所述金属银层设置于多个介质基板上下两侧；所述谐振器包括电容加载部分及等阻抗线；所述谐振器的电容加载部分由两层金属银层及连接两金属银层的金属化通孔构成；所述金属带位于介质基板及金属银层两侧，且可接收并传递来自馈源的信号；所述谐振器的电容加载部分可接收金属带传递的信号，所述谐振器的短路端由连接金属屏蔽腔的等阻抗线实现。

主权项：1.一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器，其特征在于，包括：金属屏蔽腔；介质基板；金属银层；谐振器；金属化通孔；金属带；所述介质基板和金属银层设置于金属屏蔽腔内；所述金属银层设置于多个介质基板上下两侧；所述谐振器包括电容加载部分及等阻抗线；所述谐振器的电容加载部分由两层金属银层及连接两金属银层的金属化通孔构成；所述金属带位于介质基板及金属银层两侧，且可接收并传递来自馈源的信号；所述谐振器的电容加载部分可接收金属带传递的信号，所述谐振器的短路端由连接金属屏蔽腔的等阻抗线实现；所述金属屏蔽腔为四周封闭的金属外壳；所述介质基板为8层，所述金属银层为9层；其中第1层金属银层为金属屏蔽腔底板，第9层金属银层为金属屏蔽腔顶板，第2到8层金属银层分别设置于1至8层介质基板的相邻层之间；所述谐振器包括第一谐振器，第二谐振器，第三谐振器；其中第一谐振器与第三谐振器的电容加载部分都由第3层金属银层和第5层金属银层及连接两金属银层的金属化通孔构成，并通过金属通孔与等阻抗线连接；所述第二谐振器的电容加载部分由第2层金属银层及第4层金属银层实现的平板电容构成，其等阻抗线位于第7层金属银层，两部分通过贯穿的金属化通孔连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都频岢微电子有限公司 一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器

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