申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请日：2020-11-30

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112649713B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本发明提供了一种太赫兹频段在片TRL校准件及其制备方法，该校准件包括由下至上依次设置的衬底层、第一薄膜介质层、金属层以及第二薄膜介质层；所述第二薄膜介质层上表面设置有PAD接地金属件和PAD金属件以及金属标准件，所述PAD接地金属件通过嵌入第二薄膜介质层内的PAD接地通孔金属件与金属层连接。本发明制备适用于太赫兹频段的在片TRL校准件具有高频、低损耗等特点。该太赫兹频段在片TRL校准件基于正置薄膜微带线工艺制备在半导体衬底上，由于在片TRL校准方法可以将校准参考面直接定位到晶体管片内端口，从而有效降低片外校准时造成的寄生效应和测试误差问题，提高太赫兹晶体管小信号S参数直接测量的准确性和可靠性。

主权项：1.一种太赫兹频段在片TRL校准件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在衬底层上旋涂BCB胶，并进行固化形成第一薄膜介质层；步骤2：利用蒸发法在第一薄膜介质层表面蒸发一层金属钛和一层金-铂合金，形成金属层；步骤3：在金属层上旋涂一层BCB胶，并在充满氮气氛围的烘箱内将其在200℃下烘烤15min使BCB胶固化形成第二薄膜介质层；步骤4：采用光刻技术在第二薄膜介质层表面刻蚀直达金属层表面的通孔，并采用金属溅射剥离技术形成PAD接地通孔金属件；步骤5：在第二薄膜介质层上，采用电子束光刻剥离技术依次蒸发一层钛、一层铂和一层金，采用光刻胶进行二次布线图形光刻，形成PAD接地金属件、PAD金属件以及金属标准件；所述太赫兹频段在片TRL校准件包括由下至上依次设置的衬底层、第一薄膜介质层、金属层以及第二薄膜介质层；所述第二薄膜介质层上表面设置有PAD接地金属件、PAD金属件以及金属标准件，所述PAD接地金属件通过嵌入第二薄膜介质层内的PAD接地通孔金属件与金属层连接；所述衬底层为磷化铟衬底、碳化硅衬底或氮化镓衬底中的一种。

全文数据：

权利要求：

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