申请/专利权人:广东广纳芯科技有限公司
申请日:2020-12-17
公开(公告)日:2024-04-12
公开(公告)号:CN112653414B
主分类号:H03H9/02
分类号:H03H9/02;H03H9/145
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.12#授权;2021.09.24#专利申请权的转移;2021.08.24#专利申请权的转移;2021.07.27#专利申请权的转移;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开
摘要:本发明的兰姆波谐振器包括:作为绝缘体的衬底;设置在所述衬底上的压电层;设置在所述压电层的上表面侧的多个上电极;以及设置在所述压电层的下表面侧的多个下电极,各个所述上电极至少有部分埋入所述压电层,各个所述下电极未埋入所述压电层,根据所述上电极整体的厚度,将所述上电极埋入所述压电层的部分的厚度相对于所述上电极整体的厚度之比即埋入比例设定为能够抑制兰姆波的寄生模式的埋入比例。
主权项:1.一种兰姆波谐振器,其特征在于,包括:作为绝缘体的衬底;设置在所述衬底上的压电层;设置在所述压电层的上表面侧的多个上电极;以及设置在所述压电层的下表面侧的多个下电极,各个所述上电极至少有部分埋入所述压电层,各个所述下电极未埋入所述压电层,根据所述上电极整体的厚度,将所述上电极埋入所述压电层的部分的厚度相对于所述上电极整体的厚度之比即埋入比例设定为能够抑制兰姆波的寄生模式的埋入比例。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 广东广纳芯科技有限公司 兰姆波谐振器及具备该兰姆波谐振器的滤波器和电子设备
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。