申请/专利权人：锦州辽晶电子科技股份有限公司

申请日：2023-04-13

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN116487413B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/73;H01L21/331

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2023.11.10#著录事项变更;2023.08.11#实质审查的生效;2023.07.25#公开

摘要：一种低放大倍数变化率的功率晶体管及其制作方法，包括由单面抛光的单晶片形成的N+集电区，在N+集电区对应所述单晶片的抛光面设有N‑外延层，其在N‑外延层上表面设有P型外延层，在P型外延层上表面设有P+接触区，在P+接触区上表面设有二氧化硅氧化层一，在P+接触区上表面设有N+发射区，在二氧化硅氧化层一表面和N+发射区表面设有二氧化硅氧化层二，在所述P+接触区和N+发射区表面分别引出晶体管基极B、发射极E，所述N+集电区对应所述单晶片的研磨面引出集电极C。利用P型外延基区的方法替代NPN晶体管的基区硼扩散，从而避开了高温长时间的扩散，缩短了工艺时间，提高了生产效率，降低了制造成本；同时也获得了较低的放大倍数低温变化率，提高了少子寿命，器件的可靠性得到了提升。

主权项：1.一种低放大倍数变化率的功率晶体管，包括由单面抛光的单晶片形成的N+集电区，在N+集电区对应所述单晶片的抛光面设有N-外延层，其特征是，在N-外延层上表面设有P型外延层，在P型外延层上表面设有P+接触区，在P+接触区上表面设有二氧化硅氧化层一，在P+接触区上表面设有N+发射区，在二氧化硅氧化层一表面和N+发射区表面设有二氧化硅氧化层二，在所述P+接触区和N+发射区表面分别引出晶体管基极B、发射极E，所述N+集电区对应所述单晶片的研磨面引出集电极C，所述N+发射区的结深大于P+接触区的结深。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 锦州辽晶电子科技股份有限公司 一种低放大倍数变化率的功率晶体管及其制作方法

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