申请/专利权人：杭州英希捷科技有限责任公司

申请日：2023-02-13

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN116283324B

主分类号：C04B35/80

分类号：C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2023.07.11#实质审查的生效;2023.06.23#公开

摘要：本发明公开了一种改善碳纤维陶瓷界面的方法与制备方法及应用，复合结构主要由碳纤维骨架、垂向纳米片阵列界面优化层、耐高温陶瓷涂层三部分组成，陶瓷基体与碳纤维通过纳米片阵列相互结合，所述纳米片阵列中的片层部分与碳纤维轴向呈倾斜或垂直角度并交错分布于碳纤维表面。纳米片阵列通过等离子气相沉积合成，并垂直生长于碳纤维表面，呈“花瓣状”或“迷宫状”致密分布。进一步地，还提出了在复合陶瓷块体内部孔隙及裂缝中填充沉积石墨烯纳米片阵列，来抑制传统的硅熔渗陶瓷致密化处理的硅残留问题。

主权项：1.一种改善碳纤维陶瓷界面的方法，其特征在于，所述改善方法为：陶瓷基体与碳纤维通过纳米片阵列相互结合，所述纳米片阵列中的片层部分与碳纤维轴向呈倾斜或垂直角度并交错分布于碳纤维表面；所述的纳米片阵列为二维材料纳米片构成的阵列，所述的纳米片阵列包括氮化硼纳米墙或石墨烯纳米墙，所述的纳米片阵列底部包含有平面纳米薄膜层，用于碳纤维的包覆保护及界面强结合；所述包含有平面纳米薄膜层的垂向纳米片阵列通过化学气相沉积方式在碳纤维表面一步法制备得到；所述纳米片阵列的高度为0.5-5.0微米，所述纳米片阵列的厚度为5-50纳米。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州英希捷科技有限责任公司 一种改善碳纤维陶瓷界面的方法与制备方法及应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD