申请/专利权人：深圳大学

申请日：2022-07-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN115097569B

主分类号：G02B6/124

分类号：G02B6/124;G02B6/12;G02F1/01

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：本发明提供一种基于氮化硅的微环‑亚波长光栅可调谐滤波器，包括：硅衬底1、二氧化硅埋氧层2以及氮化硅层，其中二氧化硅埋氧层2沉积在硅衬底1之上，氮化硅层位于二氧化硅埋氧层2之上。本发明入射光波依次经过微环谐振腔和亚波长光栅的两次滤波，最终获得单一滤波峰或具有一定带宽的滤波谱，且通过对GST加热的方式调控亚波长光栅的有效折射率，最终实现了一个结构紧凑、可实现对特定波段滤波且中心波长可调谐的片上集成光子滤波器。

主权项：1.一种基于氮化硅的微环-亚波长光栅可调谐滤波器，其特征在于包括硅衬底（1）、二氧化硅埋氧层（2）以及氮化硅层，其中二氧化硅埋氧层（2）沉积在硅衬底（1）之上，氮化硅层位于二氧化硅埋氧层（2）之上；所述氮化硅层为波导结构，包括：依次设置的第一模斑耦合器（3）通过第一直波导（4）与第一弯曲波导（5）相连，第一弯曲波导（5）通过第二直波导（6）与第二弯曲波导（7）相连，第二弯曲波导（7）通过第三直波导（8）与第二模斑耦合器（9）相连；在第二直波导（6）与环形波导（10）间构成第一耦合间隙（11），所述第一耦合间隙（11）为第一设定距离；环形波导（10）与亚波长光栅波导（13）构成第二耦合间隙（12），所述第二耦合间隙（12）为第二设定距离；亚波长光栅波导（13）通过第三弯曲波导（15）与第四直波导（16）相连，第四直波导（16）与第三模斑耦合器（17）相连；在亚波长光栅波导（13）上沉积GST（Ge2Sb2Te5）层（14），在GST（Ge2Sb2Te5）层（14）上沉积金属电极（18），当温度达到160°C时，所述GST（Ge2Sb2Te5）原子排布有序化，转换为晶态；而高温的晶态GST（Ge2Sb2Te5）经过快速冷却后，又可转化为非晶态，通过控制外加电脉冲的大小来改变温度，使其处于晶态和非晶态之间的任意中间态；入射光经过微环谐振腔和亚波长光栅的两次滤波后，获得纯净的、高消光比的单滤波峰或具有一定带宽的滤波谱。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳大学 基于氮化硅的微环-亚波长光栅可调谐滤波器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD