申请/专利权人：东屹半导体科技(江苏)有限公司

申请日：2024-01-16

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117577563B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开

摘要：本发明公开了一种半导体划片机的优化控制方法及系统，属于智能控制领域，与待加工半导体建立通信，生成原材特征集；执行划片机历史控制参数的参数匹配，建立初始解集空间；进行随机聚类，生成聚类簇，并对聚类簇进行簇内解集分类；在预定迭代次数内，执行聚类簇的簇内迭代；完成迭代更新后，执行聚类簇间竞争寻优，输出解集空间，以解集空间完成待加工半导体的划片机控制寻优。本申请解决了现有半导体划片机采用固定参数进行控制，难以实现精确的实时控制优化，导致半导体制作效率较低、质量参差不齐的技术问题，达到了针对不同半导体材料的个性化差异，动态优化确定最佳的划片机控制参数组合，提升半导体制作质量效率和质量的技术效果。

主权项：1.一种半导体划片机的优化控制方法，其特征在于，所述方法包括：与待加工半导体建立通信，并基于通信结果完成特征提取，生成原材特征集，其中，所述原材特征集包括材料特征、结构特征；以所述原材特征集作为匹配特征，执行划片机历史控制参数的参数匹配，建立初始解集空间，匹配的参数包括主轴转速、进给速度、切割深度、冷却水流量、刀具参数、环境参数；对所述初始解集空间进行随机聚类，生成N个聚类簇，其中，N为大于3的整数，并对N个聚类簇进行簇内解集分类，设定簇内分类标识，其中，所述簇内分类标识包括引领标识、追随标识和基础标识；在预定迭代次数内，执行N个聚类簇的簇内迭代，其中，簇内迭代包括：A1：追随标识和基础标识数据以引领标识为优化方向的数据迭代；A2：引领标识和追随标识的身份更新；在N个聚类簇完成预定迭代次数的迭代更新后，执行聚类簇间竞争寻优；基于竞争寻优结果输出解集空间，以所述解集空间完成待加工半导体的划片机控制寻优；所述方法还包括：建立评价适应度函数，所述评价适应度函数包括切割效果评价适应度函数和切割速度评价适应度函数，且所述切割效果评价适应度函数和所述切割速度评价适应度函数具有预设权重约束；以所述评价适应度函数进行N个聚类簇内数据适应度评价，将切割效果适应度评价结果、切割速度适应度评价结果和综合评价结果作为簇内分类标识的评价标准，通过预设比例完成N个聚类簇内数据分类。

全文数据：

权利要求：

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