申请/专利权人：湖南星硕传感科技有限公司

申请日：2023-09-25

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117288809B

主分类号：G01N27/22

分类号：G01N27/22;B82Y30/00;C01B32/184

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2024.01.12#实质审查的生效;2023.12.26#公开

摘要：本发明公开了一种碳基氢气传感器芯片，属于气体检测技术领域，该芯片，从内到外包括P型硅衬底、基层、敏感层和金属电极；所述基层由碳基材料组成，本发明中基层属于碳基材料，该碳基材料是以石墨烯和纳米铂为原料，提高石墨烯作为基材的分散效果，并且提高芯片整体对于气体的敏感性和选择性，敏感层是以Pd掺杂的WO3溶胶为材料制得，使用Pd掺杂的WO3将结合提高敏感层的导电性，碳基材料被Pd掺杂的WO3覆盖在下方，作为良好的导电材料，不仅可以保护基层，还可以提高电子的运输效果，而且降低材料整体电阻，进而提高对气体的响应性。

主权项：1.一种碳基氢气传感器芯片，从内到外包括P型硅衬底、基层、敏感层和金属电极；其特征在于，所述基层由碳基材料组成，所述碳基材料通过如下步骤制备：将稳定剂、还原剂、超支化聚乙烯亚胺改性氧化石墨烯和水混合，然后加入氯铂酸溶液，搅拌混合，反应2-3h，反应结束后，经过离心分离，乙醇和水交替洗涤，真空干燥，得到碳基材料；所述碳基氢气传感器芯片通过如下步骤制备：制备质量分数0.2％的碳基材料溶液，将碳基材料溶液均匀喷涂在p型硅衬底表面干燥后形成基层，然后吸取Pd掺杂的WO3溶胶滴涂在基层上，进行匀胶，干燥后进行退火处理，形成敏感层，将电极相互对称的设置在敏感层上表面，得到碳基氢气传感器芯片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖南星硕传感科技有限公司 一种碳基氢气传感器芯片

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