申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2023-06-01

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN220774364U

主分类号：H01L23/538

分类号：H01L23/538;H01L25/065;H10B12/00

优先权：["20220602 US 17/831,040"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权

摘要：本实用新型实施例涉及一种封装结构及高带宽存储器HBM装置。一种封装结构包括：第一衬底，包括逻辑晶体管；第一互连结构，在所述第一衬底上；第一接合层，在所述第一互连结构上；第二接合层，在所述第一接合层上且接合到所述第一接合层；第二互连结构，在所述第二接合层上方；第二衬底，在所述第二互连结构上方，所述第二衬底包括存储器装置；保护膜，在所述第二衬底上；第一贯穿通路，延伸穿过所述第二互连结构的部分及所述第二衬底的第一部分；及第二贯穿通路，延伸穿过所述保护膜及所述第二衬底的第二部分以接触所述第一贯穿通路的顶表面，其中所述第一贯穿通路的第一直径大于所述第二贯穿通路的第二直径。

主权项：1.一种封装结构，其特征在于其包括：第一半导体衬底，其包括逻辑晶体管；第一互连结构，其放置在所述第一半导体衬底上方；第一接合层，其放置在所述第一互连结构上；第二接合层，其放置在所述第一接合层上且接合到所述第一接合层；第二互连结构，其放置在所述第二接合层上方；第二半导体衬底，其放置在所述第二互连结构上方，所述第二半导体衬底包括存储器装置；保护膜，其放置在所述第二半导体衬底上；第一贯穿通路，其延伸穿过所述第二互连结构的一部分及所述第二半导体衬底的第一部分；及第二贯穿通路，其延伸穿过所述保护膜及所述第二半导体衬底的第二部分以物理接触所述第一贯穿通路的顶表面，其中所述第一贯穿通路的第一直径大于所述第二贯穿通路的第二直径。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 封装结构及高带宽存储器HBM装置

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