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【发明授权】MEMS气体传感器气敏单元及制备方法_北京机械设备研究所_202010427355.4 

申请/专利权人:北京机械设备研究所

申请日:2020-05-19

公开(公告)日:2024-04-23

公开(公告)号:CN112034012B

主分类号:G01N27/12

分类号:G01N27/12

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.23#授权;2020.12.22#实质审查的生效;2020.12.04#公开

摘要:本申请揭示了一种MEMS气体传感器气敏单元及制备方法,该制备方法包括:在衬底上从下倒上依序制备第一金属电极层以及绝缘层;在绝缘层上制备具有第一孔洞的第二金属电极层;在绝缘层上第一孔洞投影于绝缘层的区域开设第二孔洞,通过第一孔洞和第二孔洞露出第一金属电极层;在第二金属电极层上覆盖气敏材料形成气敏结构层,使气敏材料在第一孔洞和第二孔洞处联通第一金属电极层和第二金属电极层;对气敏结构层进行图形化,保留第一孔洞和第二孔洞内留存的气敏材料,去除气敏结构层其余的气敏材料,完成气敏单元的制备。本申请可大幅减小气敏结构有效部分的总体积,进而可提升传感器的灵敏度和响应速度。

主权项:1.一种MEMS气体传感器气敏单元的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:在衬底上从下到上依序制备第一金属电极层以及绝缘层;在所述绝缘层上制备具有第一孔洞的第二金属电极层,所述第一孔洞、所述绝缘层和所述第一金属电极层在投影方向上存在重合区域;在所述绝缘层上所述第一孔洞投影于所述绝缘层的区域开设第二孔洞,通过所述第一孔洞和所述第二孔洞露出所述第一金属电极层;在所述第二金属电极层上覆盖气敏材料形成气敏结构层,使所述气敏材料在所述第一孔洞和所述第二孔洞处联通所述第一金属电极层和所述第二金属电极层;对所述气敏结构层进行图形化,仅保留所述第一孔洞和所述第二孔洞内壁留存的气敏材料,去除所述气敏结构层其余的气敏材料,完成所述气敏单元的制备。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京机械设备研究所 MEMS气体传感器气敏单元及制备方法

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