申请/专利权人：清华大学;北京清华长庚医院

申请日：2021-02-10

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN114910850B

主分类号：G01R33/34

分类号：G01R33/34;G01R33/38

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.08.16#公开

摘要：本申请涉及一种双核MRI的图像增强超构表面器件，具体为双核磁场增强装置及磁共振系统，所述双核磁场增强装置包括第一筒形磁场增强器与第二筒形磁场增强器。所述第一筒形磁场增强器包围形成第一容纳空间。所述第一筒形磁场增强器用于增强检测部位的氢质子核的核磁信号。所述第二筒形磁场增强器设置于所述第一容纳空间内，用于增强所述检测部位的非氢质子核的核磁信号。所述第二筒形磁场增强器包围形成第二容纳空间，用于容纳检测部位。所述双核磁场增强装置实现了对氢质子核和非氢质子核的双核MRI两个信号场的同时增强。相对传统技术，所述双核磁场增强装置可以具有更高的磁场增强效果。在应用于MRI设备成像时，所述双核磁场增强装置可以辅助MRI设备获得更高质量的图像。

主权项：1.一种双核磁场增强装置，其特征在于，包括：第一筒形磁场增强器（810）和第二筒形磁场增强器（820）；所述第一筒形磁场增强器（810）包括：第一筒形支架（811），具有第一外表面（801）与第一内表面（802），所述第一外表面（801）环绕所述第一内表面（802），并且与所述第一内表面（802）间隔相对设置，所述第一内表面（802）包围第一容纳空间（819）；多个第一磁场增强组件（812），所述第一磁场增强组件（812）的延伸方向与所述第一筒形支架（811）的第一中心轴线的延伸方向相同，并环绕所述第一筒形支架（811）的第一中心轴线间隔设置于所述第一外表面（801）；每个所述第一磁场增强组件（812）具有相对设置的第一端和第二端，所述多个第一磁场增强组件（812）的第一端依次连接，所述多个第一磁场增强组件（812）的第二端依次连接；所述第二筒形磁场增强器（820）包括：第二筒形支架（821），设置于所述第一容纳空间（819）内，所述第二筒形支架（821）具有第二外表面（803），与所述第一内表面（802）间隔相对设置；多个第二磁场增强组件（822），间隔设置于所述第二外表面（803），所述第二磁场增强组件（822）的延伸方向与所述第二筒形支架（821）的第二中心轴线的延伸方向相同；每个所述第二磁场增强组件（822）具有相对设置的第一端和第二端，所述多个第二磁场增强组件（822）的第一端依次连接，所述多个第二磁场增强组件（822）的第二端依次连接；其中，所述第二磁场增强组件（822）包括第一电介质层（100）、第一电极层（110）、第二电极层（120）以及第三电容（223）、第一电感（241）和第一开关电路（631），所述第三电容（223）的一端与所述第一电极层（110）连接，所述第三电容（223）的另一端与所述第二电极层（120）连接，所述第一电感（241）的一端与所述第二电极层（120）连接；所述第一开关电路（631）包括第五增强型MOS管（235）和第六增强型MOS管（236），所述第五增强型MOS管（235）的漏极和栅极分别与所述第一电感（241）远离所述第二电极层（120）的一端连接，所述第五增强型MOS管（235）的源极与所述第一电极层（110）连接，所述第六增强型MOS管（236的漏极和栅极分别所述第一电极层（110）连接，所述第六增强型MOS管（236）的源极与所述第一电感（241）远离所述第二电极层（120）的一端连接，所述第五增强型MOS管（235）和所述第六增强型MOS管（236）反向并联连接；加载的电压超过所述第五增强型MOS管（235）和所述第六增强型MOS管（236）的沟道导通电压时，所述第五增强型MOS管（235）的源漏极导通和所述第六增强型MOS管（236）的源漏极交替导通。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学;北京清华长庚医院 一种双核MRI的图像增强超构表面器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD