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【发明公布】一种富电子Fe位点的间隙N掺杂Fe3O4复合材料的制备方法及应用_浙江工业大学_202311691998.X 

申请/专利权人:浙江工业大学

申请日:2023-12-11

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN117884157A

主分类号:B01J27/24

分类号:B01J27/24;C02F1/78;C02F1/72;B01J23/745;B01J37/08;C02F101/30;C02F101/38

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要:本发明公开了一种富电子Fe位点的间隙N掺杂Fe3O4复合材料的制备方法及应用,其中包括:通过简单的水热合成法制备Fe2O3纳米颗粒,然后通过碳酸氢铵辅助的高温煅烧处理Fe2O3纳米颗粒,在这一过程中,利用碳酸氢铵产生的NH3作为还原剂以及掺杂N元素的来源,成功制备得到N掺杂Fe3O4复合材料Fe‑xN‑T。该制备方法工艺简单、成本低,制得到的产品中N元素以间隙N的形式存在并均匀地分散在Fe3O4上。制备得到的N掺杂Fe3O4复合材料可应用于高效催化臭氧降解自来水或城镇污水中有机污染物。

主权项:1.一种富电子Fe位点的间隙N掺杂Fe3O4复合材料的制备方法,其特征在于:过程如下:将Fe2O3纳米颗粒和碳酸氢铵粉末置于不同位置进行煅烧,且在煅烧过程中提供从碳酸氢铵粉末所在位置流向Fe2O3纳米颗粒所在位置的保护气体气氛;煅烧温度为150℃~250℃;煅烧过程中,碳酸氢铵热解产生NH3,NH3在煅烧环境下还原Fe2O3,并作为氮掺杂的氮源,反应生成间隙N掺杂Fe3O4复合材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 浙江工业大学 一种富电子Fe位点的间隙N掺杂Fe3O4复合材料的制备方法及应用

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