申请/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所

申请日：2024-02-23

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117888178A

主分类号：C30B9/12

分类号：C30B9/12;C30B29/22;G02B1/02

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种高温相二硼酸镁晶体及其生长方法和应用，该方法包括以下步骤：S1、将溶质与助熔剂混合均匀，得到原料混合物；所述溶质为Mg2B2O5粉体；所述助熔剂为Li2WO4粉体；所述溶质和助熔剂的质量含量分别用x1和x2表示，且x1:x2＝0.1‑0.5；S2、将原料混合物在玛瑙研钵中研磨混合均匀后装入铂金坩埚，再转移到高温熔盐炉中，于空气气氛下升温至1020‑1080℃使原料混合物完全熔融，恒温24‑32h使熔体反应完全；S3、以0.25‑35℃天的降温速率降至990‑960℃，待晶体生长完成后退火至室温，取出晶体，洗净烘干，得到透明的高温相二硼酸镁晶体；本发明采用高温助熔剂法，以Li2WO4这种无毒、环保的助熔剂体系，获得大尺寸高温相二硼酸镁晶体，同时赋予T‑Mg2B2O5晶体荧光性能。

主权项：1.一种高温相二硼酸镁晶体的生长方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1、将溶质与助熔剂混合均匀，得到原料混合物；所述溶质为Mg2B2O5粉体；所述助熔剂为Li2WO4粉体；所述溶质和助熔剂的质量含量分别用x1和x2表示，且x1:x2＝0.1-0.5；S2、将原料混合物在玛瑙研钵中研磨混合均匀后装入铂金坩埚，再转移到高温熔盐炉中，于空气气氛下升温至1020-1080℃使原料混合物完全熔融，恒温24-32h使熔体反应完全；S3、以0.25-35℃天的降温速率降至990-960℃，待晶体生长完成后退火至室温，取出晶体，洗净烘干，得到透明的高温相二硼酸镁晶体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院福建物质结构研究所 一种高温相二硼酸镁晶体及其生长方法和应用

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