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【发明公布】用于温度测量的真空中发射率设定的原位校正/优化_应用材料公司_202280057829.8 

申请/专利权人:应用材料公司

申请日:2022-07-28

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN117897598A

主分类号:G01J5/80

分类号:G01J5/80;G01J5/00;G01J5/12;H01L21/67;C23C16/52

优先权:["20210923 US 17/483,085"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.04.16#公开

摘要:本文提供用于处理基板的方法和装置。例如,用于处理基板的方法包括以下步骤:对基板执行第一真空处理程序;从真空热电耦获得所述基板的温度测量;从非接触红外传感器获得所述基板的温度测量;基于来自所述真空热电耦的所述温度测量和来自所述非接触红外传感器的所述温度测量来校正所述非接触红外传感器;以及使用经校正的所述非接触红外传感器来对所述基板执行第二真空处理程序。

主权项:1.一种用于处理基板的方法,包括:对基板执行第一真空处理程序;从真空热电耦获得所述基板的温度测量;从非接触红外传感器获得所述基板的温度测量;基于来自所述真空热电耦的所述温度测量和来自所述非接触红外传感器的所述温度测量来校正所述非接触红外传感器;以及使用经校正的非接触红外传感器来对所述基板执行第二真空处理程序。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 应用材料公司 用于温度测量的真空中发射率设定的原位校正/优化

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