申请/专利权人：天津三安光电有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894876A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/102;H01L31/0352;H01L31/0216

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光敏二极管及其制备方法，其制备步骤包括：在衬底处生长第一氧化层和第二氧化层；刻蚀第一氧化层并做P型掺杂扩散形成深掺区；刻蚀第一氧化层并做P型掺杂扩散形成浅掺区，浅掺区的掺杂浓度低于深掺区；刻蚀第一氧化层和第二氧化层形成第三开口；由第三开口和衬底下端进行N型掺杂扩散；在第一氧化层和衬底上端设置介质层，介质层具有第四开口；在介质层上设置正电极，正电极通过第四开口连接深掺区；第一氧化层包括第一部分和第二部分，第一部分相较于第二部分更靠近正电极，第一部分的宽度大于第二部分的宽度。借此设置，可以有效提升光敏二极管的抗静电击穿能力，提高光敏二极管的品质。

主权项：1.一种光敏二极管的制备方法，其特征在于：所述光敏二极管的制备方法包括下列步骤：S1、在衬底的上端和下端分别生长第一氧化层和第二氧化层；S2、对所述第一氧化层进行第一次刻蚀，以形成第一开口；S3、由所述第一开口处进行P型掺杂扩散，以形成深掺区；S4、对所述第一氧化层进行第二次刻蚀，以形成第二开口；S5、由所述第二开口处进行P型掺杂扩散，以形成浅掺区，所述浅掺区的掺杂浓度低于所述深掺区的掺杂浓度；S6、对所述第一氧化层进行第三次刻蚀，以形成第三开口，所述第三开口位于所述第一氧化层的外侧；并刻蚀掉位于所述衬底的下端的第二氧化层；S7、由所述第三开口处和所述衬底的下端进行N型掺杂扩散；S8、在所述第一氧化层和所述衬底的上端设置介质层，所述介质层具有第四开口，所述第四开口位于所述深掺区上；S9、在所述介质层上设置正电极，所述正电极通过所述第四开口连接所述深掺区；在完成步骤S9之后，所述第一氧化层包括第一部分和第二部分，所述第一部分相较于所述第二部分更靠近所述正电极，所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津三安光电有限公司 光敏二极管及其制备方法

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