申请/专利权人：天津大学

申请日：2022-09-29

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN115385921B

主分类号：C07D487/04

分类号：C07D487/04;C07F7/08;C08G61/12;H10K10/46;H10N10/856

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：本发明属于有机半导体材料技术领域，具体涉及噻唑‑5‑吡咯并吡咯二酮及其共轭聚合物的制备方法和作为半导体材料的应用。本发明式1所示结构采用噻唑Tz的5号位与DPP相连，通过“Tz‑5‑DPP”的结构同时保留缺电子性和高的C‑H反应性，适用于高效的Oxi‑DArP反应，从而使本发明提供的式1所示结构的噻唑‑5‑吡咯并吡咯二酮化合物能够作为可进行交叉偶联缩聚尤其是Oxi‑DArP的单体，并运用Oxi‑DArP方法合成共轭聚合物，作为n型半导体材料应用于制备有机薄膜晶体管和有机热电器件。

主权项：1.一种基于噻唑取代的吡咯并吡咯二酮化合物的共轭聚合物作为n型有机半导体材料的应用，其特征在于，所述基于噻唑取代的吡咯并吡咯二酮化合物的共轭聚合物具有式2-1所示结构： 式2中的n为11～62。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津大学 噻唑-5-吡咯并吡咯二酮及其共轭聚合物的制备方法和作为半导体材料的应用

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