申请/专利权人：福建华佳彩有限公司

申请日：2019-08-21

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN110600507B

主分类号：H10K59/121

分类号：H10K59/121;H10K59/123;H10K59/131;H10K71/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2020.01.14#实质审查的生效;2019.12.20#公开

摘要：一种OLED面板及制作方法，其中方法包括如下步骤，准备基板，在基板上先后成膜第一导电膜层及栅极层，在电容区蚀刻所有栅极金属，在薄膜晶体管区保留栅极金属及第一导电膜层，在其他区域根据图案化需要蚀刻栅极金属及导电膜层；随后进行步骤，制作栅极绝缘层，在薄膜晶体管区制作有源层，再制作蚀刻阻挡层并留出过孔，先后成膜第二导电膜层及电极层，在电容区蚀刻所有电极金属，在薄膜晶体管区保留源漏极和第二导电膜层，所述源漏极通过第二导电膜层与有源层接触。本发明通过成膜透明导电膜以及金属膜层，并结合灰阶光罩，在画素电容区仅保留透明导电膜，使得面板金属膜层的面积进一步减少，增加面板的透光性。

主权项：1.一种OLED面板的制作方法，其特征在于，所述OLED面板包括薄膜晶体管区和电容区，所述电容区包括电容极板，所述电容区不包括金属层，所述电容极板与薄膜晶体管区的电极层连接，所述电容极板为透明导电膜层；所述电容极板间包括栅极绝缘层或蚀刻阻挡层；所述电容区包括由下至上设置的基板、电容下极板、栅极绝缘层、蚀刻阻挡层、电容上极板、钝化层、平坦层；所述薄膜晶体管区包括由下至上设置的基板、第一导电膜层、栅极层、栅极绝缘层、有源层、第二导电膜层、蚀刻阻挡层、源漏极层、钝化层、平坦层；包括如下步骤，准备基板，在基板上先后成膜第一导电膜层及栅极层，在电容区蚀刻所有栅极金属，在薄膜晶体管区保留栅极金属及第一导电膜层，在其他区域根据图案化需要蚀刻栅极金属及导电膜层；随后进行步骤，制作栅极绝缘层，在薄膜晶体管区制作有源层，再制作蚀刻阻挡层并留出过孔，先后成膜第二导电膜层及电极层，在电容区蚀刻所有电极金属，在薄膜晶体管区保留源漏极和第二导电膜层，所述源漏极通过第二导电膜层与有源层接触；在电容区蚀刻所有栅极金属，在薄膜晶体管区保留栅极金属及第一导电膜层，在其他区域根据图案化需要蚀刻栅极金属及导电膜层，具体为，在栅极层上涂布光阻，利用半色掩膜板进行曝光，设置电容区光线透过率为50％，薄膜晶体管的栅极走线部分透光率0％，其他部分透光率100％，然后进行显影液显影，去除其他部分的光阻，再进行蚀刻转印光罩图案，使得其他部分的栅极金属及第一导电膜层完全去除，通过灰化处理去除电容区的光阻，然后再次进行蚀刻，去除电容区的栅极金属最后去除剩余部分光阻。

全文数据：

权利要求：

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