申请/专利权人：通威微电子有限公司

申请日：2023-07-12

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN116926670B

主分类号：C30B27/02

分类号：C30B27/02;C30B29/36;C30B15/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2023.11.10#实质审查的生效;2023.10.24#公开

摘要：本申请公开了一种用液相法制备碳化硅的方法和制得的碳化硅，涉及半导体领域。用液相法制备碳化硅的方法包括：将原料装入石墨坩埚，石墨坩埚的内表面包括沿径向从外向内延伸的曲线壁面，曲线壁面的母线为最速下降曲线；加热原料以得到原料熔体；将籽晶与原料熔体接触，并在惰性气体和氮气的混合气体中进行碳化硅晶体的生长。通过设置曲线壁面的母线为最速下降曲线，能够增强原料熔体从边缘向中心流动的流速，在石墨坩埚中部形成较强的上升流股，加强原料熔体中心的对流强度。这样可以避免晶体生长过程中，中部位置的熔体对流明显弱于边缘位置的问题，从而提高碳化硅晶体的均匀性。

主权项：1.一种用液相法制备碳化硅的方法，其特征在于，包括：将原料装入石墨坩埚，所述石墨坩埚的内表面包括沿径向从外向内延伸的曲线壁面，所述曲线壁面的母线为最速下降曲线；加热所述原料以得到原料熔体；将籽晶与所述原料熔体接触，并在惰性气体和氮气的混合气体中进行碳化硅晶体的生长；所述石墨坩埚的内表面还包括周向延伸的竖直侧壁和位于所述石墨坩埚底部中心的底壁，所述底壁为圆形平面，所述底壁的直径为25～40mm，所述曲线壁面的上端连接所述竖直侧壁的下缘，所述曲线壁面的下端连接所述底壁的边缘。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 通威微电子有限公司 一种用液相法制备碳化硅的方法和制得的碳化硅

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