申请/专利权人：深圳市汉嵙新材料技术有限公司

申请日：2024-02-18

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117712389B

主分类号：H01M4/80

分类号：H01M4/80;C23C14/35;C23C14/06;H01M4/66;H01M10/0525;H01M10/054

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本申请提供了一种多孔集流体的制备方法、制造装置、电极以及二次电池。该多孔集流体的制备方法包括如下步骤：在衬底上沉积包括MXene材料的导电材料层；以及，将溅射有导电材料层的衬底置于电离溅射腔室中，控制峰值溅射功率为105W以上，使工作气体电离并轰击导电材料层，以在MXene材料上形成孔洞。该方式能够在二维的MXene材料表面形成微小的孔洞，从而增大制备的MXene材料的孔隙率，使其能够负载更多的活性物质。并且该轰击过程基本不会破坏MXene材料的主体结构，因此其在形成孔洞的过程中对于MXene材料的导电性能的影响较小，还能够保持MXene材料的高导电性能。

主权项：1.一种多孔集流体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上沉积包括MXene材料的导电材料层；以及，将溅射有导电材料层的衬底置于电离溅射腔室中，控制峰值溅射功率为105W以上，使工作气体电离并轰击所述导电材料层，以在所述MXene材料上形成孔洞，在使工作气体电离并轰击所述导电材料层的步骤中，采用高能脉冲磁控溅射的方式使工作气体电离，并控制单次脉冲的峰值功率为5×105W~1×107W；重复多次在衬底上沉积导电材料层的步骤，以及重复多次使工作气体电离并轰击所述导电材料层的步骤，且沉积导电材料层的步骤和轰击所述导电材料层的步骤交替进行，沉积所述导电材料层的次数为100次~1000次。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市汉嵙新材料技术有限公司 多孔集流体的制备方法、制造装置、电极以及二次电池

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