申请/专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

申请日：2020-12-17

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN114644336B

主分类号：C01B32/16

分类号：C01B32/16;C01B32/168

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.07.08#实质审查的生效;2022.06.21#公开

摘要：一种电子黑体结构的制备方法，包括以下步骤：S1，提供一基底；S2：在所述基底上生长一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括一顶部及一底部，所述底部连接于基底；以及S3：反转所述碳纳米管阵列，使其顶部设置于基底上，底部远离所述基底，所述碳纳米管阵列的底部用于吸收电子。本发明进一步提供一种采用上述方法制备的电子黑体结构。

主权项：1.一种电子黑体结构用于吸收电子的方法，该电子黑体结构的制备方法包括以下步骤：S1，提供一生长基底；S2：在所述生长基底上生长一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括一顶部及一底部，所述底部连接于所述生长基底；以及S3：分离所述碳纳米管阵列和生长基底，使碳纳米管阵列的底部暴露，所述碳纳米管阵列的底部用于吸收电子，碳纳米管阵列的底部为电子吸收面，所述碳纳米管阵列包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管垂直于所述电子吸收面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 电子黑体结构的制备方法及电子黑体结构

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