申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-10-10

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117915653A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00;G11C11/4094

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本公开涉及一种供一种存储单元结构及其制备方法、读写电路及存储器，存储单元结构包括衬底、隔离结构、浮体单元结构、沟道结构、第一栅极结构及第二栅极结构；隔离结构形成于衬底的表面；浮体单元结构位于隔离结构远离衬底的表面，沿第一方向延伸；沟道结构与浮体单元结构部分交叠，包括位于浮体单元结构的外表面的第一部分，及位于浮体单元结构沿第二方向相对两侧的第二部分及第三部分；第一栅极结构位于第一部分远离衬底的表面；第二栅极结构形成于浮体单元结构沿第一方向的一端，与第一栅极结构相互绝缘，从而避免刷新电路导致存储单元体积与功耗增大，提高半导体存储器件的可靠性、响应速度与存储密度。

主权项：1.一种存储单元结构，其特征在于，包括：衬底；隔离结构，形成于所述衬底的表面；浮体单元结构，位于所述隔离结构远离所述衬底的表面，沿第一方向延伸；沟道结构，与所述浮体单元结构部分交叠且相互绝缘，包括位于所述浮体单元结构的外表面的第一部分，及位于所述浮体单元结构沿第二方向相对两侧的第二部分及第三部分，所述第二部分及所述第三部分均与所述第一部分电连接且均位于所述隔离结构远离所述衬底的表面；所述第二方向与所述第一方向相交；第一栅极结构，位于所述第一部分远离所述衬底的表面；第二栅极结构，形成于所述浮体单元结构沿所述第一方向的一端，与所述第一栅极结构相互绝缘。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储单元结构及其制备方法、读写电路及存储器

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