申请/专利权人：高通股份有限公司

申请日：2022-08-09

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117916880A

主分类号：H01L23/522

分类号：H01L23/522

优先权：["20210917 US 17/478,539"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：集成电路IC，包括电容器和电感器，在垂直相邻的互连层之间采用直接耦合的金属线以减小耦合电阻，以及相关的制造方法。“直接耦合”意味着不存在中间垂直互连通路过孔层，该层具有互连垂直相邻互连层中的这些金属线的过孔。相应的和垂直相邻的上覆互连层和下伏互连层中的上覆金属线和下伏金属线彼此直接耦合，而不需要中间过孔层。例如，IC的相邻互连层中直接耦合的金属可减小这些金属线之间的接触电阻并减小该IC的总高度。绝缘层可设置在该上覆互连层和该下伏互连层之间的选定凹陷区域中，以将上覆金属线与并非旨在电耦合在一起的另一垂直相交的下伏金属线绝缘。

主权项：1.一种电容器，所述电容器包括：互连结构，所述互连结构包括：下伏互连层，所述下伏互连层包括：第一下伏金属指状结构，所述第一下伏金属指状结构包括彼此平行延伸的多条第一下伏金属线；和第二下伏金属指状结构，所述第二下伏金属指状结构包括彼此平行延伸的多条第二下伏金属线；所述第一下伏金属指状结构与所述第二下伏金属指状结构相互交叉；和在垂直方向上与所述下伏互连层相邻设置的上覆互连层，所述上覆互连层包括：第一上覆金属指状结构，所述第一上覆金属指状结构包括彼此平行延伸的多条第一上覆金属线；和第二上覆金属指状结构，所述第二上覆金属指状结构包括彼此平行延伸的多条第二上覆金属线；所述第一上覆金属指状结构与所述第二上覆金属指状结构相互交叉，其中所述第一上覆金属指状结构在第一连接区域中在所述垂直方向上与所述第一下伏金属指状结构相交；所述第一上覆金属指状结构在所述第一连接区域中耦合到所述第一下伏金属指状结构；所述第二上覆金属指状结构在第二连接区域中在所述垂直方向上与所述第二下伏金属指状结构相交；并且所述第二上覆金属指状结构在所述第二连接区域中耦合到所述第二下伏金属指状结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高通股份有限公司 在垂直相邻互连层之间采用直接耦合的金属线以减小耦合电阻的集成电路（IC）及相关方法

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