申请/专利权人：北京环境特性研究所

申请日：2022-11-24

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN115728242B

主分类号：G01N21/03

分类号：G01N21/03;G01N21/55;G01N21/3581;G01N21/3586

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2023.03.21#实质审查的生效;2023.03.03#公开

摘要：本发明涉及等离子体技术领域，尤其涉及一种太赫兹全频段等离子体包覆对材料反射率影响的测定方法。该方法将测量光路设置在单独的封闭盒体内，避免等离子体对其他检测设备的污染，提高检测准确度。通过将不同波段的太赫兹波能量聚集、反射以及收集，并通过获得相应波段等离子体包覆对样品反射率的影响系数，通过频段拼接的方式获得太赫兹全频段的测量数据，确定太赫兹全频段等离子体包覆对材料反射率影响，为后续等离子体包覆相关领域的各项研究提供一种新的方式。

主权项：1.一种太赫兹全频段等离子体包覆对材料反射率影响的测定方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一封闭盒体、一等离子体发生器、一用于固定待测件的支架以及设置在所述封闭盒体内的测量光路，所述支架位于所述封闭盒体内，所述等离子体发生器能够向位于所述支架上的所述待测件提供包覆用的等离子体，所述测量光路能够将进入所述封闭盒体内的太赫兹光波聚焦至所述待测件后再反射至能量收集装置；选择已知反射率的金属板作为参考板，当所述参考板作为待测件时，将其固定在所述支架，向所述测量光路提供准直太赫兹光波，且在未被等离子体包覆情况下，对所述参考板进行测量，所述测量光路能够将太赫兹光波聚集至所述参考板后再反射至所述能量收集装置，获得所述参考板在未被等离子体包覆情况下的反射能量P参；待测样品板作为待测件，将所述待测样品板固定在所述支架，在未被等离子体包覆的情况下，对所述待测样品板进行测量，获得所述待测样品板在未被等离子体包覆情况下的反射能量P待；打开所述等离子体发生器，将位于所述支架上的所述待测样品板被等离子体包覆，对所述待测样品板进行测量，获得所述待测样品板在被等离子体包覆情况下的反射能量P′待；通过式1获得未被等离子包覆时所述待测样品板的反射率： 通过式2获得被等离子包覆时所述待测样品板的反射率： 通过式3得到等离子体包覆对样品反射率的影响系数：

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京环境特性研究所 太赫兹全频段等离子体包覆对材料反射率影响的测定方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD