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【发明公布】一种金刚石晶圆加工方法_西安交通大学_202410342873.4 

申请/专利权人:西安交通大学

申请日:2024-03-25

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN117921214A

主分类号:B23K26/38

分类号:B23K26/38;B23K26/402;B23K26/55;B23K26/70

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要:本发明公开了一种金刚石晶圆加工方法,包括:采用微米水导激光束在英寸级的金刚石晶圆内部切割出多个镂空槽;所述镂空槽在金刚石晶圆水平面的列方向不贯穿,在金刚石晶圆垂直方向贯穿,所述镂空槽在金刚石晶圆水平面的列方向为一条连续长槽排列而成或数条不连续短槽排列而成;在金刚石晶圆上通过磁控溅射或蒸发的方式双面制备电极,所述电极覆盖金刚石晶圆上表面、底面以及镂空槽内壁;采用微米水导激光束沿金刚石晶圆水平面的行方向进行切割分离,按照实际需求尺寸切割出器件。该方法可以有效减少材料损耗,实现金刚石晶圆的精密加工,提高制备效率;不用进行多次套刻,减少光刻过程出现的失误,提高成品率。

主权项:1.一种金刚石晶圆加工方法,其特征在于,包括:采用微米水导激光束在英寸级的金刚石晶圆(1)内部切割出多个镂空槽(2);所述镂空槽(2)在金刚石晶圆(1)水平面的列方向不贯穿,在金刚石晶圆(1)垂直方向贯穿,所述镂空槽(2)在金刚石晶圆(1)水平面的列方向为一条连续长槽排列而成或数条不连续短槽排列而成;在金刚石晶圆(1)上通过磁控溅射或蒸发的方式双面制备电极(3),所述电极(3)覆盖金刚石晶圆(1)上表面、底面以及镂空槽(2)内壁;采用微米水导激光束沿金刚石晶圆(1)水平面的行方向进行切割分离,按照实际需求尺寸切割出器件。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安交通大学 一种金刚石晶圆加工方法

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