申请/专利权人：成都汉威智感科技有限公司

申请日：2023-10-16

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117929475A

主分类号：G01N27/04

分类号：G01N27/04;G01N27/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：一种1R1C集成氢气传感器结构，本发明属于气体传感器技术领域，包括氢敏薄膜电阻、可调记忆型电容、交流信号源、报警器，氢敏薄膜电阻与可调记忆型电容串联，交流信号源为其提供特定频率交流输入信号，本发明通过1R1C集成结构设计、气敏场效应管的集成结构设计，提出一种能保证氢气浓度报警的功能，又能消除特定干扰气体对气敏场效应管敏感特性的影响，提升了气敏场效应管的气敏选择性，提高了气敏场效应管输出信号的可靠性，通过可调记忆性电容的容值设置实现阈值调节，解决了传统报警电路架构存在的电路复杂，体积大的问题，可通过微细加工工艺实现晶圆级批量制备，可大幅减小所需配套电路尺寸与功耗，具有体积小、功耗低、响应时间快的特点。

主权项：1.一种1R1C集成氢气传感器结构，其特征在于：所述1R1C集成氢气传感器结构包括氢敏薄膜电阻2-2、可调记忆型电容1、交流信号源3、报警器4，氢敏薄膜电阻与可调记忆型电容1串联，交流信号源3为其提供特定频率交流输入信号；所述氢敏薄膜电阻2-2包括正响应氢敏薄膜电阻2和负响应氢敏薄膜电阻5两种结构；所述正响应氢敏薄膜电阻2和负响应氢敏薄膜电阻5两种结构依据氢敏薄膜在暴露于氢气环境中后电阻变化情况而确定选择使用；所述正响应氢敏薄膜电阻2串联结构的连接是将所述报警器4的一端连接在正响应氢敏薄膜电阻2与可调记忆型电容1的连接点上，报警器4的另一端经过正响应氢敏薄膜电阻2的另一端后与交流信号源3连接，并接地；所述负响应氢敏薄膜电阻2的结构是将所述负响应氢敏薄膜电阻5的一端连接交流信号源3，另一端与可调记忆型电容1连接，报警器4的一端连接在负响应氢敏薄膜电阻5与可调记忆型电容1的连接点上，报警器4的另一端连接在可调记忆型电容1的另一端后与交流信号源3连接，并接地。

全文数据：

权利要求：

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