申请/专利权人：西安众力为半导体科技有限公司

申请日：2020-11-23

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN112420630B

主分类号：H01L23/31

分类号：H01L23/31;H01L29/739;H01L25/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2021.03.16#实质审查的生效;2021.02.26#公开

摘要：本发明提供了一种堆叠键合式IGBT器件，包括MOS结构芯片、衬底晶圆片和台面钝化保护层；MOS结构芯片键合于衬底晶圆片的上方，台面钝化保护层位于衬底晶圆片的上表面和MOS结构芯片的两端及其上表面的两侧，MOS结构芯片的宽度小于所述衬底晶圆片的宽度。本发明采用堆叠‑键合技术制作的IGBT器件，因为不存在“薄片‑背面加工”的步骤，避免了难度很大且成本很高的薄片工艺、背加工工艺；能够显著压缩制造成本，同时针对台面结构进行了钝化和保护，连同器件原有的终端等保护结构在一起，充分提供了对于器件性能的保障。

主权项：1.一种堆叠键合式IGBT器件，其特征在于：包括MOS结构芯片（1）、衬底晶圆片（2）和台面钝化保护层（9）；所述MOS结构芯片（1）键合于所述衬底晶圆片（2）的上方，所述台面钝化保护层（9）位于所述衬底晶圆片（2）的上表面和所述MOS结构芯片（1）的两端及其上表面的两侧；所述衬底晶圆片（2）采用PN结构晶圆片（10）；所述PN结构晶圆片（10）包括P型区（8）、N型区（7）、PN结构金属层（6）和PN结构保护终端（3）；所述N型区（7）位于所述P型区（8）的上方，所述PN结构金属层（6）位于N型区（7）的上端面中间，所述PN结构保护终端（3）位于N型区（7）的上端面且分布于所述PN结构金属层（6）的两侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安众力为半导体科技有限公司 一种堆叠键合式IGBT器件

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