申请/专利权人：西北工业大学

申请日：2023-05-30

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN116639996B

主分类号：C04B38/06

分类号：C04B38/06;C04B35/58;C04B35/622;C04B35/565;C04B35/584

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2023.09.12#实质审查的生效;2023.08.25#公开

摘要：本发明公开了一种具有双向周期孔结构吸波Si‑C‑N复相陶瓷的制备方法，首先采用化学气相浸渗法，在二维编织结构的碳纤维布上原位沉积一定厚度的Si3N4陶瓷，得到CfSi3N4复合材料；然后将其进行氧化处理，得到近空心管状编织结构的Si3N4C多孔陶瓷；接着依次沉积SiC纳米界面层作为电磁波损耗层，Si3N4陶瓷作为抗氧化保护层和阻抗匹配层，最后将残余的碳纤维氧化除碳得到具有双向周期孔结构的Si3N4SiCSi3N4SiCSi3N4复相陶瓷。本发明制备得到的Si3N4SiCSi3N4SiCSi3N4复相陶瓷存在双向周期孔结构、大量透吸波纳米异质界面和缺陷，在厚度仅为2.45mm时，使得复相陶瓷在X波段的平均有效吸收效能超过‑10dB，最强吸收达到‑24.5dB，而且制备工艺简单、材料热稳定性好、可操作性强，有利于制备室高温协同吸波复相陶瓷。

主权项：1.一种具有双向周期孔结构吸波Si-C-N复相陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：制备Si3N4多孔陶瓷；S11：采用化学气相浸渗法，在二维编制结构的碳纤维布上原位沉积1～2μm的Si3N4陶瓷基体，得到CfSi3N4复合材料；S12：在600～700℃下对CfSi3N4复合材料进行氧化处理，保温时间1～5h，得到具有双向周期性孔结构的Si3N4多孔陶瓷，所述Si3N4多孔陶瓷内部为氧化处理后不规则的碳纤维；S2：利用步骤S1中制备得到的Si3N4多孔陶瓷制备Si3N4SiCSi3N4SiCSi3N4复相陶瓷；S21：在步骤S1中得到的Si3N4多孔陶瓷上原位沉积90～200nm的SiC界面层，得到SiCSi3N4SiC复相陶瓷；S22：在SiCSi3N4SiC复相陶瓷上原位沉积300～400nm的Si3N4抗氧化层，得到Si3N4SiCSi3N4SiCSi3N4复相陶瓷；S3：利用步骤S2中制备得到的Si3N4SiCSi3N4SiCSi3N4复相陶瓷制备Si-C-N复相陶瓷；对步骤S2中制备的Si3N4SiCSi3N4SiCSi3N4复相陶瓷再次进行氧化处理，保温温度为600～700℃，保温时间至少为8h，除去复相陶瓷内部残留的碳纤维，得到具有双向周期孔结构的层状Si-C-N复相陶瓷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西北工业大学 一种具有双向周期孔结构吸波Si-C-N复相陶瓷及其制备方法

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