申请/专利权人：浙江创芯集成电路有限公司

申请日：2024-01-30

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954310A

主分类号：H01L21/033

分类号：H01L21/033;H01L21/027;H10B41/27;H10B43/27

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：一种掩膜层结构及其形成方法和半导体结构的形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在衬底表面形成器件层；在器件层表面形成初始掩膜层；对初始掩膜层进行改性处理，在器件层上形成掩膜层以及掩膜层表面的改性层，改性层的密度大于掩膜层的密度；对改性层和掩膜层进行图形化处理；在图形化处理后，以掩膜层以及掩膜层表面的改性层为掩膜，刻蚀器件层，直至暴露出衬底的部分表面，形成通孔。改性层的密度大于掩膜层的密度，相同体积内的改性层材料增多，在刻蚀器件层的过程中改性层的刻蚀率减小，改性层在刻蚀过程中横向与纵向的损耗减小，刻蚀得到的通孔的关键尺寸不会由于掩膜的损耗而增大，提升了刻蚀精度。

主权项：1.一种掩膜层的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀结构；在所述待刻蚀结构上形成初始掩膜层；对所述初始掩膜层进行改性处理，在所述待刻蚀结构上形成掩膜层以及掩膜层表面的改性层，所述改性层的密度大于所述掩膜层的密度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江创芯集成电路有限公司 掩膜层结构及其形成方法及半导体结构的形成方法

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