申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-10-21

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954306A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L23/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本公开实施例提供一种半导体结构的处理方法及形成方法、半导体结构。其中，半导体结构的处理方法包括：提供待处理的半导体结构，所述半导体结构包括衬底、设置在所述衬底上的多个子结构；其中，所述子结构的深宽比大于预设比值；形成支撑层，所述支撑层桥接所述多个子结构之间关键尺寸小于尺寸阈值的区域，且所述支撑层具有至少一个开口；利用所述开口对所述半导体结构进行清洗处理；去除所述多个子结构顶部的所述支撑层。

主权项：1.一种半导体结构的处理方法，其特征在于，所述方法包括：提供待处理的半导体结构，所述半导体结构包括衬底、设置在所述衬底上的多个子结构；其中，所述子结构的深宽比大于预设比值；形成支撑层，所述支撑层桥接所述多个子结构之间关键尺寸小于尺寸阈值的区域，且所述支撑层具有至少一个开口；利用所述开口对所述半导体结构进行清洗处理；去除所述多个子结构顶部的所述支撑层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的处理方法及半导体结构

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