申请/专利权人：上海工程技术大学

申请日：2024-03-11

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117948257A

主分类号：F03G7/06

分类号：F03G7/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明属于SMA致动器控制技术领域，公开了一种形状记忆合金致动器的位移控制系统及方法，位移控制系统包括SMA致动器、定值电阻、ADC、MCU、MOSFET、驱动电路板和电源；ADC、MCU、MOSFET同时安装在驱动电路板上；ADC的采集点位于SMA致动器和定值电阻中间；位移控制方法包括步骤：1MCU调整MOSFET输出的PWM电流至临界值；2ADC采集电压信号并转换为数字信号后发送至MCU；3MCU对数字信号采用算数平均滤波进行滤波处理获得反馈信号；4MCU判断反馈信号是否等于预期信号，并根据判断结果进行不同的处理。本发明无需考虑“位移响应滞后”的问题，可从电压对应的数字信号直接获得SMA致动器对应的位移量。

主权项：1.一种形状记忆合金致动器的位移控制系统，其特征在于，包括SMA致动器、定值电阻、ADC、MCU、MOSFET、驱动电路板和电源；ADC、MCU、MOSFET同时安装在驱动电路板上；电源用于输出恒压或恒流的电流，为驱动电路板供电；MOSFET用于输出PWM电流至SMA致动器和定值电阻；ADC用于采集电压信号并转换为数字信号后发送至MCU，ADC的采集点位于SMA致动器和定值电阻中间；MCU用于对数字信号进行滤波处理获得反馈信号后，将反馈信号与预期信号进行实时对比，在反馈信号与预期信号不相等时调整MOSFET输出的PWM电流，以使得反馈信号无限逼近于预期信号；预期信号为当SMA致动器的位移量为预期值时理论上MCU应当获得的反馈信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海工程技术大学 一种形状记忆合金致动器的位移控制系统及方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD