申请/专利权人：甬矽半导体(宁波)有限公司

申请日：2024-03-22

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954335A

主分类号：H01L21/60

分类号：H01L21/60;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/482;H01L23/485;H01L23/24

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明提供了一种基于重构晶圆的封装方法和基于重构晶圆的封装结构，涉及芯片封装技术领域，该方法首先在重构晶圆载板的扇出贴装区域内贴设第一结构芯片、第二结构芯片和结构伪芯片；然后塑封、扇出布线。其中，第一结构芯片、第二结构芯片和结构伪芯片之间形成第一沟槽和第二沟槽，多个扇出贴装区域中的至少部分两两相对地分布在重构晶圆载板上，相对的两个扇出贴装区域中的第一沟槽对称设置，并形成工字沟槽，且第一沟槽位于同一直线方向上，从而共同构筑成田字结构，塑封料能够在工字沟槽中互相连通形成整体，大大提升了塑封层与沟槽之间的结合力，提升了塑封层的结构强度，能够大幅减小塑封时带来的翘曲现象，提升产品质量和性能。

主权项：1.一种基于重构晶圆的封装方法，其特征在于，包括：提供一重构晶圆载板，并在所述重构晶圆载板的第一预设范围内划分多个扇出贴装区域；在所述扇出贴装区域贴设第一结构芯片、第二结构芯片和结构伪芯片，所述第一结构芯片和所述第二结构芯片并列设置，所述结构伪芯片位于所述第一结构芯片和所述第二结构芯片的同一侧；在所述重构晶圆载板上形成塑封层，所述塑封层包覆在所述第一结构芯片、所述第二结构芯片和所述结构伪芯片外；剥离所述重构晶圆载板或研磨所述塑封层，以露出所述第一结构芯片、所述第二结构芯片和所述结构伪芯片；在所述塑封层的表面形成扇出布线层，所述第一结构芯片和所述第二结构芯片与所述扇出布线层电连接；沿切割道切割所述扇出布线层和塑封层；其中，所述第一结构芯片和所述第二结构芯片间隔设置，并形成第一沟槽，所述结构伪芯片同时与所述第一结构芯片和所述第二结构芯片间隔设置，并形成第二沟槽，所述第一沟槽连通至所述第二沟槽的中部，多个所述扇出贴装区域中的至少部分两两相对地分布在所述重构晶圆载板上，相对的两个所述扇出贴装区域中的所述第一沟槽和所述第二沟槽均对称设置，并形成工字沟槽，且相对的两个所述扇出贴装区域中的第一沟槽位于同一直线方向上。

全文数据：

权利要求：

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