申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2021-02-24

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN113035879B

主分类号：H10B41/27

分类号：H10B41/27;H10B41/35;H10B41/41

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2021.07.13#实质审查的生效;2021.06.25#公开

摘要：本发明提供了一种NORFLASH的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底内形成有相邻的有源区和隔离区，所述隔离区的表面高于所述有源区的表面；在所述有源区上依次形成浮栅和第一控制栅；在所述隔离区上形成第二控制栅，所述第一控制栅和所述第二控制栅之间具有空隙，并且，所述第一控制栅和所述第二控制栅在同一高度上；在所述第一控制栅和所述第二控制栅之间的空隙中填充氧化物，以形成层间介质层，所述层间介质层的表面平整。通过控制隔离区的表面高于有源区，使得第一控制栅有源区控制栅和第二控制栅隔离区控制栅之间的层间介质层填充完好，不会出现空洞的情况，从而减少后续擦除出现问题的几率。

主权项：1.一种NORFLASH的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底内形成有相邻的有源区和隔离区，所述隔离区的表面高于所述有源区的表面；在所述有源区上依次形成浮栅和第一控制栅；在所述隔离区上形成第二控制栅，在与所述衬底垂直的方向上，所述第二控制栅仅在隔离区上，所述第一控制栅和所述第二控制栅之间具有空隙，并且，所述第一控制栅和所述第二控制栅在同一高度上；以及在所述第一控制栅和所述第二控制栅之间的空隙中填充氧化物，以形成层间介质层，所述层间介质层的表面平整。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 NOR FLASH的形成方法

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