申请/专利权人：重庆理工大学

申请日：2024-02-01

公开（公告）日：2024-05-03

公开（公告）号：CN117969464A

主分类号：G01N21/59

分类号：G01N21/59;G02B1/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开

摘要：本发明公开了一种一维全介质拓扑光子晶体氢传感器，包括由若干个光子晶体PhC1和光子晶体PhC2原胞交替叠加形成的周期性结构，光子晶体PhC1为SiO2‑Si‑SiO2的三明治结构，光子晶体PhC2为Si‑SiO2‑Si的三明治结构，位于最外层的光子晶体PhC2的外侧面涂覆有PtWO3层。还公开了一种检测氢浓度的方法，利用传感器，确定环境氢浓度与传感器透射光谱共振峰波长之间的函数关系，根据函数关系建立环境氢浓度与传感器透射光谱共振峰波长的数据库，数据库中具有环境检测氢浓度值与对应的传感器检测透射光谱共振峰波长值；根据检测得到的传感器透射光谱共振峰波长值，通过数据库中得到对应的环境氢浓度值。

主权项：1.一种一维全介质拓扑光子晶体氢传感器，其特征在于：包括由若干个光子晶体PhC1和光子晶体PhC2原胞交替叠加形成的周期性结构，光子晶体PhC1为SiO2-Si-SiO2构成的三明治结构，光子晶体PhC2为Si-SiO2-Si构成的三明治结构，光子晶体PhC1中Si层的厚度大于SiO2层的厚度，光子晶体PhC2中SiO2层的厚度大于Si层的厚度，光子晶体PhC1中Si层的厚度与光子晶体PhC2中总的Si层厚度一致，且光子晶体PhC2中单Si层的厚度为光子晶体PhC1中Si层的厚度的一半；光子晶体PhC2中SiO2层的厚度与光子晶体PhC1中总的SiO2层厚度一致，且光子晶体PhC1中单SiO2层的厚度为光子晶体PhC2中SiO2层的厚度的一半；位于最外层的光子晶体PhC2的外侧面涂覆有PtWO3层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆理工大学 一维全介质拓扑光子晶体氢传感器及氢浓度检测方法

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