申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2024-01-31

公开（公告）日：2024-05-03

公开（公告）号：CN117976529A

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/3115;H01L21/8238

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开

摘要：本发明提供一种改善栅氧化层质量的方法，所述方法包括：提供表面形成有垫氧化层的半导体衬底；通过离子注入工艺于所述半导体衬底内形成N型阱与P型阱；于所述N型阱及所述P型阱内注入硅离子；去除所述垫氧化层；于所述半导体衬底的表面形成栅氧化层；对所述栅氧化层进行氧离子掺杂，并进行退火处理。通过本发明改善了现有的栅氧化层质量较差的问题。

主权项：1.一种改善栅氧化层质量的方法，其特征在于，所述方法包括：提供表面形成有垫氧化层的半导体衬底；通过离子注入工艺于所述半导体衬底内形成N型阱与P型阱；于所述N型阱及所述P型阱内注入硅离子；去除所述垫氧化层；于所述半导体衬底的表面形成栅氧化层；对所述栅氧化层进行氧离子掺杂，并进行退火处理。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 改善栅氧化层质量的方法

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