申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2021-07-26

公开（公告）日：2024-05-03

公开（公告）号：CN113658947B

主分类号：H01L27/06

分类号：H01L27/06

优先权：["20200727 US 63/057,093","20200727 US 63/057,101","20210204 US 17/167,690"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.03#授权;2021.12.03#实质审查的生效;2021.11.16#公开

摘要：本发明的实施例公开了一种解耦电容系统及方法。一种解耦电容系统，包括：解耦电容电耦接在第一或第二参考电压轨与第一节点之间；偏压电路耦接于第一节点与对应的第二参考电压轨或第一参考电压轨之间。由于解耦电容电路和偏置电路之间的串联连接，偏置电路两端的电压降有效地降低了解耦电容电路两端的电压降，从而使解耦电容电路两端的电压降小于解耦电容系统两端的电压降。

主权项：1.一种解耦电容系统，所述解耦电容系统包括：解耦电容电路，电耦接在第一参考电压轨或第二参考电压轨与第一节点之间；以及滤波偏置电路，电耦接在所述第一节点与相应的所述第二参考电压轨或所述第一参考电压轨之间；其中，一个或多个功能电路与所述解耦电容系统在所述第一参考电压轨和所述第二参考电压轨间并联电耦接；其中，滤波偏置电路包括：N型金属氧化物半导体场效应晶体管和P型金属氧化物半导体场效应晶体管，并联电耦接在所述第一节点与相应的所述第二参考电压轨或所述第一参考电压轨之间；第一滤波器，电耦接到所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端子；和第二滤波器，电耦接到所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端子；以及当所述第一滤波器被配置为高通滤波器时，所述第二滤波器具有被配置为高通滤波器的配置；和当所述第一滤波器被配置为低通滤波器时，所述第二滤波器具有被配置为低通滤波器的配置。

全文数据：

权利要求：

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