申请/专利权人：东北大学

申请日：2024-02-06

公开（公告）日：2024-05-07

公开（公告）号：CN117990214A

主分类号：G01J5/00

分类号：G01J5/00;G01J5/53

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.05.07#公开

摘要：本申请公开了一种材料发射率的测量系统及材料发射率的确定方法，涉及发射率测量与辐射测温技术领域，解决目前存在由于使用热电偶对样品温度测量会改变样品表面的温度，基于测得的温度得到的材料发射率存在准确性较低的问题。该测量系统包括：上位机、温度控制装置及测温仪，上位机与温度控制装置连接、测温仪连接，控制温度控制装置将待测试样品、黑体炉升温至设定温度，控制测温仪测量遮挡管到达不同位置时待测试样品表面的第一温度、第二温度、第三温度以及第四温度，上位机根据第一温度、第二温度、第三温度和第四温度确定待测试样品的目标材料发射率。

主权项：1.一种材料发射率的测量系统，其特征在于，包括：上位机、温度控制装置及测温仪；所述上位机与所述温度控制装置连接，用于控制所述温度控制装置将待测试样品和黑体炉加热至设定温度，其中，所述待测试样品设置于所述黑体炉内腔的预设位置；所述上位机与所述测温仪连接，用于在确定所述温度控制装置将所述黑体炉和所述待测试样品加热至所述设定温度时，控制所述测温仪测量在遮挡管开始下降时所述待测试样品表面的第一温度、在所述遮挡管下降至所述黑体炉内腔的底部且遮挡所述黑体炉对所述待测试样品的反射辐射时所述待测试样品表面的第二温度、在所述遮挡管开始上升时所述待测试样品表面的第三温度以及在所述遮挡管离开所述黑体炉内腔时所述待测试样品表面的第四温度；所述上位机用于根据所述第一温度、所述第二温度、所述第三温度和所述第四温度确定所述待测试样品的目标材料发射率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东北大学 材料发射率的测量系统及材料发射率的确定方法

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