申请/专利权人：哈尔滨工业大学

申请日：2009-05-13

公开（公告）日：2011-11-23

公开（公告）号：CN101550012B

主分类号：C04B35/622(2006.01)I

分类号：C04B35/622(2006.01)I;C04B35/515(2006.01)I

优先权：

专利状态码：失效-未缴年费专利权终止

法律状态：2023.05.23#未缴年费专利权终止;2011.11.23#授权;2009.12.02#实质审查的生效;2009.10.07#公开

摘要：SiOCN陶瓷的制备方法，它属于陶瓷制备领域。本发明解决了现有SiOCN材料的制备方法存在的成分不易控、制备工艺复杂及成本高问题。本发明方法：一、含硅氢键的化合物与烯丙胺混合，再加入铂催化剂混合均匀得到混合物；二、制备SiOCN先驱体；三、经过裂解即制备得到SiOCN陶瓷。本发明的制备方法成本低，制备得到的SiOCN陶瓷高温性能好，可在1400℃以上的条件下使用，应用范围广。

主权项：SiOCN陶瓷的制备方法，其特征在于SiOCN陶瓷的制备方法按照以下步骤进行：一、含硅氢键的化合物与烯丙胺按照Si‑HC＝C的摩尔比为0.5～16的比例混合，再加入铂催化剂混合均匀得到混合物，其中铂催化剂的用量是Pt元素质量为混合物质量的0.0005％～0.020％，含硅氢键的化合物为含氢硅氧烷或含氢聚硅氧烷；二、将步骤一中的混合物在100℃～200℃的条件下保温3～15小时得到SiOCN先驱体；三、SiOCN先驱体在气氛保护条件下在管式炉中以1～20℃min的加热速度升温到900～1400℃并保温0.5～2h，然后随炉冷却，即制备得到SiOCN陶瓷。

全文数据：

权利要求：

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