申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2016-10-24

公开（公告）日：2017-08-18

公开（公告）号：CN107068536A

主分类号：H01L21/02(2006.01)I

分类号：H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I

优先权：["2015.10.22 KR 10-2015-0147540"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.12.28#授权;2018.10.02#实质审查的生效;2017.08.18#公开

摘要：形成SiOCN材料层的方法、材料层堆叠体、半导体器件和其制造方法、及沉积装置，所述形成SiOCN材料层的方法包括：提供衬底；将硅前驱体提供到衬底上；将氧反应物提供到衬底上；将第一碳前驱体提供到衬底上；将第二碳前驱体提供到衬底上；以及将氮反应物提供到衬底上，其中第一碳前驱体和第二碳前驱体是不同的材料。

主权项：形成SiOCN材料层的方法，所述方法包括：提供衬底；将硅前驱体提供到所述衬底上；将氧反应物提供到所述衬底上；将第一碳前驱体提供到所述衬底上；将第二碳前驱体提供到所述衬底上；以及将氮反应物提供到所述衬底上，其中所述第一碳前驱体和所述第二碳前驱体是不同的材料。

全文数据：形成SiOCN材料层的方法、材料层堆叠体、半导体器件和其制造方法、及沉积装置[0001]相关专利申请的交叉引用[0002]2015年10月22日在韩国知识产权局提交的题目为“材料层、包含其的半导体器件及制造材料层和半导体器件的方法”的韩国专利申请No.10-2015-0147540通过引用在本文中全部引入。技术领域[0003]实施方式涉及材料层、包含所述材料层的半导体器件、以及制造所述材料层和所述半导体器件的方法。背景技术[0004]用于获得微图案的材料可为对高温敏感的，且低温工艺可为期望的。发明内容[0005]实施方式涉及材料层、包含所述材料层的半导体器件、和制造所述材料层及所述半导体器件的方法。[0006]实施方式可通过提供形成SiOCN材料层的方法实现，该方法包括:提供衬底;将硅前驱体提供到衬底上;将氧反应物提供到衬底上;将第一碳前驱体提供到衬底上;将第二碳前驱体提供到衬底上；以及将氮反应物提供到衬底上，其中第一碳前驱体和第二碳前驱体是不同的材料。[0007]第一碳前驱体和第二碳前驱体可各自独立地是具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到15的碳数的烷基胺、具有4到15的碳数的含氮杂环化合物、具有1到20的碳数的烧基娃烧、具有1到20的碳数的烧氧基娃烧或具有1到20的碳数的烧基娃氧烷。[0008]第一碳前驱体和第二碳前驱体的至少一个可包括具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物;或者具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷。[0009]该方法可在600°C或更低下进行。[0010]氮反应物和第二碳前驱体可为相同的材料，且提供氮反应物和提供第二碳前驱体可同时进行。[0011]提供硅前驱体、提供氧反应物、提供第一碳前驱体和提供第二碳前驱体可被包括在单个一个循环中。[0012]第一碳前驱体可包括具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷，和第二碳前驱体可包括具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物。[0013]第一碳前驱体可包括具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷。[0014]硅前驱体和第一碳前驱体可包括相同的材料，且提供硅前驱体和提供第一碳前驱体可同时进行。[0015]提供第一碳前驱体、提供氧反应物和提供第二碳前驱体可被包括在单个循环中。[0016]第一碳前驱体可包括具有1到20的碳数的烧基娃烧、具有1到20的碳数的烧氧基娃烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷，和第二碳前驱体可包括具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物。[0017]该方法可在500°C或更低下进行。[0018]硅前驱体和第二碳前驱体可为相同的材料，且提供硅前驱体和提供第二碳前驱体可同时进行。[0019]提供硅前驱体、提供氧反应物、提供第一碳前驱体和提供氮反应物可被包括在单个循环中。[0020]第二碳前驱体可包括具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷，和第一碳前驱体可包括具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物。[0021]实施方式可通过提供材料层堆叠体实现，所述材料层堆叠体包括半导体衬底以及形成在半导体衬底上方的SiOCN材料层，其中SiOCN材料层包括约10原子％到约30原子％的碳和约25原子％到约50原子％的氧。[0022]SiOCN材料层可包括约11原子％到约20原子％的碳。[0023]SiOCN材料层可包括约30原子％到约48原子％的氧。[0024]SiOCN材料层的介电常数可为大于或等于1且小于5.0。[0025]SiOCN材料层的介电常数可为大于或等于1且小于4.8。[0026]SiOCN材料层的介电常数可为大于或等于1且小于4.4。[0027]材料层堆叠体还可包括在半导体衬底和SiOCN材料层之间的Si〇2层。[0028]实施方式可通过提供半导体器件实现，所述半导体器件包括:半导体衬底;限定半导体衬底的有源区（活性区）的隔离层;在有源区上的栅电极;在栅电极的侧壁上的间隔物，所述间隔物包括在间隔物的端部中的距有源区最近的下端和在间隔物的端部中的距有源区最远的上端；以及在栅电极的相对侧（相反侧上的杂质区，其中在距下端的等于间隔物总高度的75%的高度处，间隔物的厚度等于或大于间隔物的下端的厚度的0.4倍，和间隔物包括SiOCN材料层。[0029]间隔物的SiOCN材料层的介电常数可为小于5.0。[0030]间隔物的SiOCN材料层可包括约10原子％到约30原子％的碳和约25原子％到约50原子％的氧。[0031]有源区可为从半导体衬底突出并在第一方向延伸的鳍型有源区，和栅电极可在与第一方向交叉的方向在有源区上延伸。[0032]栅电极可与有源区交叉且覆盖有源区的两个相对侧壁以及在两个侧壁之间的有源区的上表面。[0033]在距下端的等于间隔物总高度的50%的高度处，间隔物的厚度可等于或大于间隔物的下端的厚度的0.8倍。[0034]间隔物可具有至少部分地平坦的上表面。[0035]间隔物的上表面可至少部分地位于与栅电极的上表面相同的平面上。[0036]实施方式可通过提供制造半导体器件的方法实现，所述方法包括:限定从半导体衬底突出并在第一方向延伸的鳍型有源区；形成覆盖鳍型有源区的两个侧壁和上表面的栅电极，栅电极在与第一方向交叉的方向延伸;在栅电极的侧壁上形成间隔物；以及在所述有源区中分别在栅电极的相对侧上形成杂质区，其中形成间隔物包括形成SiOCN材料层。[0037]形成SiOCN材料层可包括将第一碳前驱体提供到衬底上和将第二碳前驱体提供到衬底上，且第一碳前驱体和第二碳前驱体可为不同的材料。[0038]第一碳前驱体可包括具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷，和第二碳前驱体可包括具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物。[0039]所述方法还可包括:在形成间隔物之前形成虚设du_y栅电极，其中形成间隔物包括在虚设栅电极的侧壁上形成间隔物；以及形成间隔物之后去除虚设栅电极，其中形成栅电极在虚设栅电极的去除后进行。[0040]实施方式可通过提供沉积装置实现，所述沉积装置包括:限定反应空间的反应腔室;支撑衬底的支架支撑物）；将第一碳前驱体引入反应空间中的第一传输管线;将第二碳前驱体引入反应空间中的第二传输管线；以及在反应空间中产生电势以产生等离子体的电极，其中第一碳前驱体和第二碳前驱体是不同的材料，且第一传输管线和第二传输管线在反应空间中结合在一起。[0041]支架可包括温度控制器以将衬底的温度控制到600°C或更低。[0042]实施方式可通过提供形成SiOCN材料层的方法实现，所述方法包括:提供衬底;将氧反应物提供到衬底上;将第一碳前驱体提供到衬底上；以及将第二碳前驱体提供到衬底上，其中第一碳前驱体和第二碳前驱体是不同的材料，和该方法在600°C或更低的温度下进行。[0043]所述方法还可包括将硅前驱体提供到衬底上，其中硅前驱体与第一碳前驱体不同。[0044]所述方法还可包括将氮反应物提供到衬底上，其中氮反应物与第二碳前驱体不同。[0045]第一碳前驱体可包括具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到15的碳数的烷基胺、具有4到15的碳数的含氮杂环化合物、具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷，和第二碳前驱体可包括具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到15的碳数的烷基胺、具有4到15的碳数的含氮杂环化合物、具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷。[0046]第一碳前驱体可包括具有1到20的碳数的烧基娃烧、具有1到20的碳数的烧氧基娃烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷。[0047]第二碳前驱体可包括具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物。[0048]SiOCN材料层可包括约10原子％到约30原子％的碳和约25原子％到约50原子％的氧。[0049]SiOCN材料层的介电常数可为1到5。[0050]实施方式可通过提供制造半导体器件的方法实现，所述方法包括:限定从半导体衬底突出并在第一方向延伸的鳍型有源区；形成覆盖鳍型有源区的两个侧壁和上表面的栅电极，栅电极在与第一方向交叉的方向延伸;在栅电极的侧壁上形成间隔物；以及在所述有源区中分别在栅电极的相对侧上形成杂质区，其中形成间隔物包括根据实施方式形成SiOCN材料层。[0051]实施方式可通过提供材料层堆叠体实现，所述材料层堆叠体包括半导体衬底；以及根据实施方式形成在半导体衬底上方的SiOCN材料层，其中SiOCN材料层包括约10原子％到约30原子％的碳和约25原子％到约50原子％的氧。[0052]实施方式可通过提供半导体器件实现，所述半导体器件包括:半导体衬底;限定半导体衬底的有源区的隔离层;在有源区上的栅电极;在栅电极的侧壁上的间隔物，间隔物包括在间隔物的端部中的距有源区最近的下端和在间隔物的端部中的距有源区最远的上端；以及在栅电极的相对侧上的杂质区，其中在距下端的等于间隔物总高度的75%的高度处，间隔物的厚度等于或大于间隔物的下端的厚度的0.4倍，和间隔物包括根据实施方式的方法制备的SiOCN材料层。[0053]实施方式可通过提供用于进行根据实施方式的方法的沉积装置实现，该装置包括:限定反应空间的反应腔室;支撑衬底的支架;将第一碳前驱体引入反应空间中的第一传输管线;将第二碳前驱体引入反应空间中的第二传输管线；以及在反应空间中产生电势以产生等离子体的电极，其中第一传输管线和第二传输管线在反应空间中结合在一起。附图说明[0054]通过参考附图详细地描述示例性实施方式，特征对本领域技术人员来说将是明晰的，其中：[0055]图1示出根据实施方式的包含半导体衬底和形成在半导体衬底上的SiOCN材料层的材料层堆叠体的侧视横截面图；[0056]图2示出根据实施方式的制造材料层堆叠体的方法的流程图；[0057]图3示出根据实施方式的用于形成SiOCN材料层的等离子体增强原子层沉积PEALD设备的概念图；[0058]图4A到4E示出根据实施方式的工艺气体的供应顺序的时序图；[0059]图5示出表示当第二碳前驱体和氮反应物相同时的工艺气体的供应顺序的时序图；[0060]图6示出表示当硅前驱体和第一碳前驱体相同时的工艺气体的供应顺序的时序图；[0061]图7示出表示当硅前驱体和第一碳前驱体相同且第二碳前驱体和氮反应物相同时的工艺气体的供应顺序的时序图；[0062]图8A到8D示出在半导体衬底上具有SiOCN材料层的半导体器件。例如，图8A示出半导体器件的俯视图，图8B示出半导体器件的透视图，图8C示出半导体器件的侧视横截面图，和图8D示出半导体器件的栅结构和与栅结构相邻的结构的放大横截面图；[0063]图9A到9F示出根据示例性实施方式的制造半导体器件的方法中的阶段的横截面图；[0064]图10示出根据实施方式的电子设备的框图；[0065]图11示出根据实施方式的包含显示驱动集成电路DDI的显示设备的框图；[0066]图12示出根据实施方式的CMOS反相器的电路图；[0067]图13示出根据实施方式的CMOSSRAM的电路图；[0068]图14示出根据实施方式的CMOSNAND电路的电路图；[0069]图15示出根据实施方式的电子系统的框图；以及[0070]图16示出根据实施方式的电子系统的框图。具体实施方式[0071]在下文中现将参考附图更全面地描述示例性实施方式;然而，其可以不同的形式体系，且不应被解释为限于本文中阐释的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开内容将是彻底和完整的，并且将示例性实施充分传达给本领域技术人员。[0072]在附图中，为了图示的清晰，层和区域的尺寸可被夸大。还将理解，当一个层或元件被称为“在”另外的层或元件“上”时，它可直接在所述另外的层或元件上，或还可存在居间层。此外，还将理解，当一个层被称为“在”两层“之间”时，它可为两层之间唯一的层，或还可存在一个或更多个居间层。相同的附图标记始终指代相同的元件。[0073]如在本文中使用的，术语“和或”包括相关列举项目的一个或更多个的任意和所有组合。例如，术语“或”不是排他的，且可被理解为具有与“和或”相同的含义。诸如“的至少一个种”的表述，当位于要素列表之前或之后时，修饰整个要素列表，而不修饰列表中的个别要素。[0074]虽然如“第一”、“第二”等的术语可用来描述各种部件，这些部件不必限于以上术语。以上术语仅用来将一个部件与另外的部件区分开。例如，以下讨论的第一部件可称为第二部件，和同样地，第二部件可称为第一部件，而不背离本公开内容的教导。[0075]本文中使用的术语仅用于描述具体实施方式的目的，且不意图为限制性的。以单数使用的表达包括复数的表达，除非其在上下文中具有明确的不同的意思。将理解，当在本说明书中使用时，例如“包含”和或“包括”的术语指明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和或其组合，但不排除存在或增加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和或其组合。[0076]除非另有定义，本文中使用的所有术语包括技术术语和科学术语具有与本申请所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还将理解，术语，诸如在常用词典中定义的那些，应被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且不以理想化或过度形式的意义进行解释，除非在本文中明确地如此定义。[0077]本文中描述的所有方法的操作可以任意合适的顺序进行，除非在本文中另有指示或另外与上下文明确地矛盾。实施方式不限于描述的操作顺序。例如，两个连续描述的过程可实质上同时进行，或以与描述的顺序相反的顺序进行。[0078]这样，将预计到作为例如制造技术和或公差的结果的图示的形状的变化。因此，实施方式不应被解释为限于本文中示出的区域的具体形状，而是将包括例如由制造导致的形状上的偏差。在本说明书中使用的术语“衬底”可指衬底本身，或包含衬底和形成在衬底的表面上的层或膜的堆叠结构体。在本说明书中使用的术语“衬底的表面”可指衬底的暴露表面或者形成在衬底上的层或膜的外表面。[0079]实施方式可提供包含半导体衬底和形成在半导体衬底上的SiOCN材料层的材料层堆叠体。[0080]图1示出根据实施方式的包含半导体衬底11和形成在半导体衬底11上的SiOCN材料层12的材料层堆叠体10的侧视横截面图。[0081]参考图1，半导体衬底11可由例如含III族及V族元素的材料和含IV族元素的材料的至少一种形成。含III族及V族元素的材料和含IV族元素的材料意图分别表示IIIB-VB族材料和IVB族材料。含III族及V族元素的材料可为包含至少一种III族元素和至少一种V族元素的二元、三元或四元化合物。含ΠI族及V族元素的材料可为包含In、Ga和Al的至少一种作为ΠΙ族元素以及As、P和Sb的至少一种作为V族元素的化合物。例如，含III族及V族元素的材料可选自InP、InzGai—zAsXzSl和AlzGai—zAsXzSl。二元化合物可包括例如InP、GaAs、InAs、InSb和GaSb之一。三元化合物可为InGaP、InGaAs、AlInAs、InGaSb、GaAsSb和GaAsP之一。含IV族元素的材料可包括例如Si和或Ge。在实施中，材料可包括可用于形成薄膜的合适的含ΠI族及V族元素的材料和合适的含IV族元素的材料。[0082]含III族及V族元素的材料和含IV族元素的材料例如Ge可各自用作能够形成低功率和尚速度晶体管的沟道材料。尚性能CMOS可利用以下形成：由具有比Si衬底尚的电子迁移率的含III族及V族元素的材料例如GaAs形成的半导体衬底，以及包括具有比Si衬底高的空穴迀移率的半导体材料例如Ge的SiGe半导体衬底。根据一些实施方式，当意图在半导体衬底11上形成N型沟道时，半导体衬底11可由以上例示的含III族及V族元素的材料之一形成或可由SiC形成。根据一些其它实施方式，当意图在半导体衬底11上形成P型沟道时，半导体衬底11可由SiGe形成。[0083]SiOCN材料层12可为包含硅Si、氧0、碳C和氮N的材料层。在实施中，SiOCN材料层12可包括例如约10原子％到约30原子％的量的碳。在实施中，SiOCN材料层12可包括例如约11原子％到约20原子％的量的碳。[0084]在实施中，SiOCN材料层12可包括例如约25原子％到约50原子％的量的氧。在实施中，SiOCN材料层12可包括例如约30原子％到约48原子％的量的氧。[0085]在实施中，SiOCN材料层12可包括例如约10原子％到约30原子％的量的碳和例如约25原子％到约50原子％的量的氧。[0086]在实施中，SiOCN材料层12可具有例如大于或等于1且小于5.0的介电常数。在实施中，SiOCN材料层12可具有大于或等于1且小于4.8的介电常数。在实施中，SiOCN材料层12可具有大于或等于1且小于4.4的介电常数。介电常数可取决于SiOCN材料层12的组成而变化。[0087]SiOCN材料层12可直接设置在半导体衬底11上或可在另外的材料层插入在SiOCN材料层12和半导体衬底11之间的情况下设置在半导体衬底11上。在实施中，SiOCN材料层12可堆叠在半导体衬底11上，在其间插入有绝缘层。在实施中，SiOCN材料层12可堆叠在半导体衬底11上，在其间插入有例如Hf〇2、ZrO2、HfSiOx、TaSi0x或LaOx层。[0088]在实施中，SiOCN材料层12的厚度可不是恒定的（不变的），如图1中所示。在实施中，SiOCN材料层12可具有基本上恒定的不变的厚度。[0089]在实施中，SiOCN材料层12可形成在金属材料层14上。金属材料层14可包括例如钛Ti、钨W、铝Al、钌Ru、铌Nb、铪Hf、镍Ni、钴Co、铂Pt、镱Yb、铽Tb、镝Dy、铒Er和或钯Pd。[0090]在实施中，SiOCN材料层12可形成在构成金属材料层14的金属的碳化物、氮化物、硅化物或铝碳化物上、或在其组合上。[0091]在实施中，SiOCN材料层12可直接形成在金属材料层14上，或可设置在金属材料层14上，在其间插入有与SiOCN材料层12不同的材料层。[0092]在实施中，SiOCN材料层12可设置在金属材料层14上，其间插入有高k材料层13。高k材料层13可由例如约10原子％到约25原子％的具有介电常数的材料形成（由具有例如约10原子％到约25原子％的介电常数的材料形成）。在实施中，高k材料层13可包括例如铪氧化物、铪氧氮化物、铪硅氧化物、镧氧化物、镧铝氧化物、镧硅氧化物、锆氧化物、锆硅氧化物、钽氧化物、钽铪氧化物、钽铝氧化物、钽硅氧化物、钽锆氧化物、钛氧化物、钛铝氧化物、钡锶钛氧化物、钡钛氧化物、锶钛氧化物、钇氧化物、铒氧化物、镝氧化物、钆氧化物、镓氧化物、铝氧化物、铝硅氧化物、硅锗氧化物、铅钪钽氧化物、铌酸铅锌或其组合。[0093]在实施中，SiOCN材料层12可设置在金属材料层14上，其间插入有物理性质调整功能层15。在实施中，物理性质调整功能层15可包括阻挡含金属层15a和功函数调整层15b。[0094]功函数调整层15b可为N型或P型功函数调整层。当功函数调整层15b是N型功函数调整层时，功函数调整层15b可包括例如1141、1^411了：、11：和或^^1。当功函数调整层15b是P型功函数调整层时，功函数调整层15b可包括例如Mo、Pd、Ru、Pt、TiN、WN、TaN、Ir、TaC、RuN或MoN。[0095]阻挡含金属层15a可为例如TiN。[0096]现将描述制造材料层堆叠体的方法。[0097]图2示出根据实施方式的制造材料层堆叠体的方法的流程图。[0098]参考图2,在操作SlOO中，衬底可被装载进反应空间诸如腔室中。在操作S200中，为了在衬底上形成SiOCN材料层，前驱体可被供应到反应空间中。然后，在操作S300中，当SiOCN材料层被形成为具有所需厚度时，衬底可被运载出反应空间。[0099]在操作S200中的在衬底上SiOCN材料层的形成可利用合适的方法进行。在实施中，SiOCN材料层可通过化学气相沉积（CVD形成。在实施中，SiOCN材料层可通过原子层沉积ALD形成。例如，SiOCN材料层可通过等离子体增强ALDPEALD形成。[0100]现将描述通过PEALD在衬底上SiOCN材料层的形成。在实施中，SiOCN材料层可利用另外的合适的方法形成。[0101]图3示出根据实施方式的用于形成SiOCN材料层的PEALD设备900的概念图。[0102]参考图3,彼此面对且平行延伸的一对导电平板电极932和934可设置在反应空间950中，反应空间950是反应腔室940的内部。13.56MHz或27MHzHRF电源962以及根据需要的不超过5MHz400kHz到500kHz的LRF电源964可施加到导电平板电极932和934之一，和另一电极可如附图标记936指示的被电接地。因此，在导电平板电极932和934之间可激发等呙子体。[0103]下电极932可用作支撑衬底W的支架，和温度控制器938可作为下电极932的组成部分buildinto以将衬底W维持在恒定温度。例如，如将在以下详细描述的，根据实施方式，SiOCN材料层可能够在相对低的温度例如约600°C或更低下以高的氧和碳含量沉积。在实施中，根据使用的碳前驱体的类型，SiOCN材料层可甚至在约500°C或更低其是甚至更低的温度）下以高的氧和碳含量沉积。在实施中，温度控制器938可配置为将衬底W的温度控制到600°C或更低，例如500°C或更低。[0104]上电极934可用作例如喷淋头以及电极。在实施中，经由上电极934可将若干气体包含工艺气体）引入反应空间950中。在实施中，一些气体可经由所述气体的分别独特的唯一的）管线引入反应空间950中。[0105]运载气体916可将不同的前驱体和或反应物传输到反应空间950中。在实施中，运载气体916可净化清除反应空间950中的未反应的材料或反应副产物。[0106]在实施中，运载气体916可为例如惰性气体诸如氦气He或氖气Ne、或极低活性的气体诸如氮气N2或二氧化碳CO2。[0107]经由硅前驱体供应管线911s可将硅前驱体911引入反应空间950中。在实施中，硅前驱体供应管线91Is可结合连接到运载气体供应管线916s。[0108]在实施中，如图3中所示，运载气体916的供应管线可连接到硅前驱体911、氧反应物914和氮反应物915的供应管线。在实施中，运载气体916的供应管线可连接到第一碳前驱体912的供应管线或第二碳前驱体913的供应管线。在实施中，第一碳前驱体912可被运载气体916传输并引入反应空间950中。在实施中，第二碳前驱体913可被运载气体916传输并引入反应空间950中。[0109]如图3中所示，可经由专用的供应管线将至少两种不同的第一和第二碳前驱体912和913供应到反应空间950中。可经由第一传输管线912s将第一碳前驱体912供应到反应空间950中。可经由第二传输管913s将第二碳前驱体913供应到反应空间950中。在实施中，第一传输管线912s和第二传输管线913s在它们到达反应空间950之前可不结合在一起。[0110]第一碳前驱体912和第二碳前驱体913可各自独立地包括例如具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到15的碳数的烷基胺、具有4到15的碳数的含氮杂环化合物、具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷和或具有1到20的碳数的烧基娃氧烧。[0111]具有1到10的碳数的烷烃可包括例如甲烷、乙烷、丙烷、丁烷所有异构体）、戊烷所有异构体）、己烷所有异构体）、庚烷所有异构体）、辛烷所有异构体）、壬烷所有异构体）、癸烷所有异构体或其混合物。[0112]具有2到10的碳数的烯烃可包括例如乙烯、丙烯、丁烯所有异构体）、己烯所有异构体、庚烯所有异构体、辛烯所有异构体、壬烯所有异构体）、癸烯所有异构体或其混合物。[0113]具有1到15的碳数的烷基胺可具有例如式NR1R2R3。在实施中，R\R2和R3可各自独立地是例如氢、έί族元素、具有1到10的碳数的烷基、具有2到10的碳数的烯基、具有1到10的碳数的烷基氨基、具有6到12的碳数的芳基、具有7到12的碳数的芳烷基、具有7到12的碳数的烷芳基和或具有5到12的碳数的环烷基。在实施中，R\R2和R3的至少一个可为例如具有1到10的碳数的烷基。在实施中，R1A2和R3中的两个可彼此连接以形成环。在实施中，两个或更多烷基胺可彼此连接以形成烷基二胺、烷基三胺等，且烷基二胺、烷基三胺等可属于具有1到15的碳数的烷基胺。[0114]具有1到15的碳数的烷基胺的实例可包括一甲基胺、二甲基胺、三甲基胺、一乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、一丙基胺所有异构体）、二丙基胺所有异构体）、三丙基胺所有异构体）、一丁基胺所有异构体）、二丁基胺所有异构体）、三丁基胺所有异构体）、一戊基胺（所有异构体）、二戊基胺（所有异构体）、三戊基胺（所有异构体）、一己基胺（所有异构体）、二己基胺所有异构体）、一庚基胺所有异构体）、二庚基胺所有异构体）、一辛基胺所有异构体）、一壬基胺所有异构体）、一癸基胺所有异构体）、单十一烷基胺所有异构体）、单十二烷基胺所有异构体）、单十三烷基胺所有异构体）、单十四烷基胺所有异构体）、单十五烷基胺所有异构体）、二甲基（乙基胺所有异构体）、二甲基丙基胺所有异构体）、二甲基丁基胺所有异构体）、二甲基戊基胺所有异构体）、二甲基己基胺所有异构体）、二甲基庚基胺所有异构体）、二甲基（辛基胺所有异构体）、二甲基（壬基）胺所有异构体）、二甲基癸基胺所有异构体）、二甲基十一烷基胺所有异构体）、二甲基十二烷基胺所有异构体）、二甲基十三烷基胺所有异构体）、二乙基（甲基胺所有异构体）、二乙基丙基胺所有异构体）、二乙基（丁基胺所有异构体）、二乙基戊基胺所有异构体）、二乙基（己基胺所有异构体）、二乙基庚基胺所有异构体）、二乙基（辛基胺所有异构体）、二乙基（壬基胺所有异构体）、二乙基癸基胺所有异构体）、二乙基十一烷基胺所有异构体）、二丙基（甲基胺所有异构体）、二丙基（乙基胺所有异构体）、二丙基丁基胺所有异构体）、二丙基戊基胺所有异构体）、二丙基己基胺所有异构体）、二丙基庚基胺所有异构体）、二丙基（辛基胺所有异构体）、二丙基壬基胺所有异构体）、二丁基（甲基胺所有异构体）、二丁基（乙基胺所有异构体）、二丁基丙基胺所有异构体）、二丁基戊基胺所有异构体）、二丁基（己基胺所有异构体）、二丁基庚基胺所有异构体）、二戊基（甲基胺所有异构体）、二戊基（乙基胺所有异构体）、二戊基丙基胺所有异构体）、二戊基丁基胺所有异构体）、二己基（甲基胺所有异构体）、二己基（乙基胺所有异构体）、二己基丙基胺所有异构体）、二庚基（甲基胺所有异构体）、二甲基丁烯基胺所有异构体）、二甲基戊烯基胺所有异构体）、二甲基己烯基胺所有异构体）、二甲基庚烯基胺所有异构体）、二甲基（辛烯基胺所有异构体）、二甲基环戊烯基胺所有异构体）、二甲基环己基胺所有异构体）、二甲基环庚基胺所有异构体）、双（甲基环戊基胺所有异构体）、（二甲基环戊基胺所有异构体）、双二甲基环戊基胺所有异构体）、（乙基环戊基胺所有异构体）、双（乙基环戊基胺所有异构体）、（甲基乙基环戊基胺所有异构体）、双（甲基乙基环戊基胺所有异构体）、N-甲基乙二胺所有异构体）、N-乙基乙二胺所有异构体）、N-丙基乙二胺所有异构体）、N-丁基乙二胺所有异构体）、N-戊基乙二胺所有异构体）、N-己基乙二胺所有异构体）、N-庚基乙二胺所有异构体）、N_辛基乙二胺所有异构体）、N-壬基乙二胺所有异构体）、N-癸基乙二胺所有异构体）、N_十一烷基乙二胺所有异构体和N-十二烷基乙二胺所有异构体）。[0115]具有4到15的碳数的含氮杂环化合物可包括例如以下式1到式8的至少一种化合物：[0116][0117][0118][0119]在式1到8中，η可为1到4的整数，和R可为例如氢、具有1到10的碳数的烷基、具有2到I〇的碳数的烯基、具有6到12的碳数的芳基、具有7到12的碳数的芳烷基、具有7到12的碳数的烷芳基和或具有5到12的碳数的环烷基。[0120]具有1到20的碳数的烷基硅烷可具有例如式R1-SiR2R3n-R4。在实施中，η可为1到12的整数，R\R2、R3和R4可各自独立地是例如氢、族元素、具有1到10的碳数的烷基、具有2到I〇的碳数的烯基、具有1到I〇的碳数的烷基氨基、具有6到12的碳数的芳基、具有7到12的碳数的芳烷基、具有7到12的碳数的烷芳基和或具有5到12的碳数的环烷基。在实施中，R1、R2和R3的至少一个可为例如具有1到10的碳数的烷基。在实施中，R\R2、R3和R4的至少一个可包括直接与Si结合的碳原子。在实施中，R1和R4可彼此连接以形成环。[0121]具有1到20的碳数的烷基硅烷的实例可包括甲基硅烷、四甲基硅烷TMS、四乙基硅烷TES、四丙基硅烷、四丁基硅烷、二甲基硅烷DMS、二乙基硅烷DES、二甲基二氟硅烷DMDFS、二甲基二氯硅烷DMDCS、二乙基二氯硅烷DEDCS、六甲基二硅烷、十二甲基环己硅烷、二甲基二苯基硅烷、二乙基二苯基硅烷、甲基三氯硅烷、甲基三苯基硅烷和二甲基二乙基硅烷。[0122]具有1到20的碳数的烷氧基硅烷可为在其中取代的或未取代的烷氧基与在中心的硅原子结合的化合物，并且可具有例如式R1-SiR2R3n-R4。在实施中，η可为1到12的整数，且R\R2、R3和R4可各自独立地是例如氢、族元素、具有1到10的碳数的烷基、具有1到10的碳数的烷氧基、具有2到10的碳数的烯基、具有1到10的碳数的烷基氨基、具有6到12的碳数的芳基、具有7到12的碳数的芳烷基、具有7到12的碳数的烷芳基和或具有5到12的碳数的环烷基。在实施中，R1、!?2、!?3和R4的至少一个可为具有1到10的碳数的烷氧基，和或R1、!?2、!?3和R4的至少一个可包括直接与Si结合的碳原子。在实施中，R1和R4可彼此连接以形成环。[0123]具有1到20的碳数的烷氧基硅烷的实例可包括三甲氧基硅烷TMOS、二甲氧基硅烷DMOS、甲氧基硅烷MOS、甲基二甲氧基硅烷MDMOS、二乙氧基甲基硅烷DMES、二甲基乙氧基硅烷、二甲基氨基甲氧基硅烷DMAMES、二甲基甲氧基硅烷DMMOS、甲基三甲氧基娃烧、^甲基^甲氧基娃烧、苯基二甲氧基娃烧、^苯基^甲氧基娃烧、^苯基^乙氧基硅烷、三苯基甲氧基硅烷和三苯基乙氧基硅烷。[0124]具有1到20的碳数的烷基硅氧烷可包括其间插入有氧原子的两个或更多个彼此连接的硅原子，并且可具有例如式R1-[SiR2R3]-0n-R4。在实施中，η可为2到12的整数，且R1、R2、R3和R4可各自独立地是例如氢、族元素、具有1到10的碳数的烷基、具有1到10的碳数的烷氧基、具有2到10的碳数的烯基、具有1到10的碳数的烷基氨基、具有6到12的碳数的芳基、具有7到12的碳数的芳烷基、具有7到12的碳数的烷芳基和或具有5到12的碳数的环烷基。在实施中，R1A2和R3的至少一个可为例如具有1到10的碳数的烷基。在实施中，R1、!?2、!?3和R4的至少一个可包括直接与Si结合的碳原子。在实施中，R1和R4可彼此连接以形成环。[0125]具有1到20的碳数的烷基硅氧烷的实例可包括六甲基环三硅氧烷、四甲基环四硅氧烷、四乙基环四硅氧烷、八甲基环四硅氧烷和六甲基二硅氧烷。[0126]在实施中，以上描述的具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷和具有1到20的碳数的烷基硅氧烷的至少一种可具有约50到约1000的分子量。在实施中，具有1到20的碳数的烧基娃烧、具有1到20的碳数的烧氧基娃烧和具有1到20的碳数的烧基硅氧烷的至少一种可具有约100到约400的分子量。[0127]在实施中，硅前驱体可包括例如硅烷（SiH4、乙硅烷Si2H6、一氯硅烷SiClH3、二氯硅烷（SiCl2H2、三氯硅烷（SiCl3H、六氯乙硅烷（Si2Cl6、二乙基硅烷Et2SiH2、正硅酸四乙酯SiOCH2CH34，TE0S或基于烷基氨基硅烷的化合物。基于烷基氨基硅烷的化合物可包括例如二异丙基氨基硅烷（H3SiNi-Prop2、双（叔丁基氨基）硅烷（C4H9HN2SiH2、四（二甲基氨基硅烷SiNMe24、四（乙基甲基氨基硅烷SiNEtMe4、四（二乙基氨基）硅烷（SiNEt24、三（二甲基氨基）硅烷HSiNMe23、三（乙基甲基氨基硅烷HSiNEtMe3、三二乙基氨基硅烷HSiNEt23、三二甲基肼基硅烷HSiNHNMe23、双二乙基氨基硅烷H2SiNEt22、双二异丙基氨基硅烷H2SiNi-Prop22、三二异丙基氨基硅烷HSiNi-Prop23或二异丙基氨基硅烷H3SiNi-Prop2。[0128]此处，Me代表甲基，Et代表乙基，i-Prop代表异丙基，n-Prop代表正丙基，Bu代表丁基，n-Bu代表正丁基，Cp代表环戊二烯基，THD代表2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮，TMPD代表2，2，6，6-四甲基-对苯二胺，acac代表乙酰丙酮，hfac代表六氟乙酰丙酮，以及FOD代表6，6，7，7，8，8，8-七氟-2，2-二甲基-3，5-辛烷二酮。[0129]在实施中，氧反应物可以包括例如03、出0、02、勵2、^、犯0、醇、金属醇盐、等离子体〇2、远程等离子体〇2、等离子体N20、等离子体H2O或其组合。在实施中，氮反应物可以包括例如N2、NH3、肼N2H4、等离子体N2、远程等离子体N2或其组合。[0130]现将描述上述工艺气体供应到反应空间950中的顺序。[0131]图4A示出根据一个实施方式的工艺气体的供应顺序的时序图。[0132]参考图4A，工艺气体可以例如硅前驱体、氧反应物、第一碳前驱体、第二碳前驱体和氮反应物的次序被顺序地供应到反应空间950中。这些工艺气体的供应时序可由净化气体的供应时序互相隔开。[0133]在实施中，工艺气体可以如图4A中所示的硅前驱体、氧反应物、第一碳前驱体、第二碳前驱体和氮反应物的次序被顺序地供应到反应空间950中。在实施中，供应次序可取决于例如前驱体和各反应物之间的反应活性适当地改变。[0134]在实施中，硅前驱体、氧反应物、第一碳前驱体、第二碳前驱体和氮反应物的脉冲供应可形成单个循环。该循环可重复直到SiOCN材料层被形成为具有所需厚度。[0135]在实施中，第一碳前驱体和第二碳前驱体的至少一种可为例如⑴具有1到15的碳数的烷基胺和或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物;或者（ii具有1到20的碳数的烷基娃烧、具有1到20的碳数的烧氧基娃烧和或具有1到20的碳数的烧基娃氧烧。[0136]在实施中，第一碳前驱体可为具有1到15的碳数的烷基胺和或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物，和第二碳前驱体可为前文描述的化合物之一，例如具有1到10的碳数的烷烃和或具有2到10的碳数的烯烃。[0137]在实施中，第一碳前驱体可为具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷和或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷，和第二碳前驱体可为前文描述的化合物之一，例如具有1到10的碳数的烷烃和或具有2到10的碳数的烯烃。[0138]在实施中，第一碳前驱体可为前文描述的化合物之一，例如具有1到10的碳数的烷烃和或具有2到10的碳数的烯烃，和第二碳前驱体可为具有1到15的碳数的烷基胺和或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物。[0139]在实施中，第一碳前驱体可为前文描述的化合物之一，例如具有1到10的碳数的烷烃和或具有2到10的碳数的烯烃，和第二碳前驱体可为具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烧氧基娃烧和或具有1到20的碳数的烧基娃氧烧。[0140]当第一碳前驱体和第二碳前驱体如以上描述构成时，甚至在相对于低的工艺温度、例如600°C或更低的相对低的工艺温度下，也可确保高的氧含量和高的碳含量。高的碳含量可导致耐蚀刻性的改善。高的氧含量可导致介电常数的减小。例如，通过如以上描述的材料选择，介电常数可减小到小于5.0。[0M1]图4B示出根据另一实施方式的工艺气体的供应顺序的时序图。[0142]图4B的实施方式与图4A的实施方式不同在于:可在第二碳前驱体供应后供应第一碳前驱体。在与表面的亲和性、化学吸着特性和与另外的反应物的反应性方面，第一碳前驱体和第二碳前驱体可不同，且后续获得的材料层的性质可随着供应顺序的改变而变化。[0143]图4C到4E示出表示根据其它实施方式的工艺气体的供应顺序的时序图。[0144]图4C的实施方式与图4A和4B的实施方式不同在于:第一碳前驱体和第二碳前驱体可同时供应。例如，当第一碳前驱体和第二碳前驱体具有类似的化学吸着特性时，可使用该供应方法。[0145]图4D的实施方式与图4A到4C的实施方式不同在于:第一碳前驱体和第二碳前驱体的供应时间互相交叠，而供应第一碳前驱体在供应第二碳前驱体之前开始且在供应第二碳前驱体停止之后结束。例如，当第二碳前驱体被供应以调整后续获得的材料层的具体成分的含量时，可使用该供应方法。[0146]在实施中，考虑到第一碳前驱体和第二碳前驱体各自的与表面的亲和性、化学吸着特性和与另外的反应物的反应性，可使用与以上描述的供应方式相比反过来进行的供应方法。例如，供应第二碳前驱体可在供应第一碳前驱体之前开始且在供应第一碳前驱体停止之后结束。[0147]参考图4E，第一碳前驱体的供应可暂时地和或部分地与第二碳前驱体的供应交叠。如图4E中所示，第一碳前驱体的供应可在第二碳前驱体的供应开始之前开始，第二碳前驱体的供应可在第一碳前驱体的供应结束之前开始，和第二碳前驱体的供应可在第一碳前驱体的供应结束之后结束。该供应方法可用于修正例如第一碳前驱体和第二碳前驱体之间的各化学吸着特性之间的差异。[0148]在实施中，考虑到第一碳前驱体和第二碳前驱体各自的与表面的亲和性、化学吸着特性和与另外的反应物的反应性，可使用与以上描述的供应方式相反的供应方法。例如，第二碳前驱体的供应可在第一碳前驱体的供应开始之前开始，第一碳前驱体的供应可在第二碳前驱体的供应结束之前开始，和第一碳前驱体的供应可在第二碳前驱体的供应结束之后结束。[0149]在实施中，当具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物用作第二碳前驱体时，氮原子可包括在第二碳前驱体中，和氮反应物的供应可省略。例如，第二碳前驱体和氮反应物可为相同的材料，因此可在相同或单一的操作中供应。[0150]图5示出表示当第二碳前驱体和氮反应物是相同的一种时的工艺气体的供应顺序的时序图。[0151]参考图5,工艺气体可以硅前驱体、氧反应物、第一碳前驱体和第二碳前驱体（即与氮反应物相同）的次序被顺序供应到反应空间950中。这些工艺气体的供应脉冲可由净化气体的供应脉冲互相隔开。[0152]在实施中，工艺气体可以如图5中所示的硅前驱体、氧反应物、第一碳前驱体和第二碳前驱体即氮反应物的次序被顺序供应到反应空间950中。在实施中，供应次序可取决于例如前驱体和各反应物之间的反应活性适当地改变。[0153]在实施中，硅前驱体、氧反应物、第一碳前驱体和第二碳前驱体（即氮反应物的脉冲供应可形成单个循环。该循环可重复直到SiOCN材料层被形成为具有所需厚度。[0154]在图5的实施方式中，第一碳前驱体和第二碳前驱体可被顺序地供应，且第一和第二碳前驱体的供应脉冲可由净化气体的供应脉冲互相隔开。在实施中，根据前驱体和反应物的特性，在图5的实施方式中可采用如以上参考图4B-4E描述的供应第一碳前驱体和第二碳前驱体的方法。[0155]在实施中，当具有1到20的碳数的烧基娃烧、具有1到20的碳数的烧氧基娃烧和具有1到20的碳数的烷基硅氧烷的至少一种用作第一碳前驱体时，硅原子可包括在第一碳前驱体中，且硅前驱体的供应可省略。例如，硅前驱体和第一碳前驱体可为相同的材料，因此可在相同或单一操作中供应。[0156]图6示出表示当硅前驱体和第一碳前驱体是相同的一种时工艺气体的供应顺序的时序图。[0157]参考图6,工艺气体可以硅前驱体（即与第一碳前驱体相同）、氧反应物、第二碳前驱体和氮反应物的次序被顺序供应到反应空间950中。这些工艺气体的供应脉冲可由净化气体的供应脉冲互相隔开。[0158]在实施中，工艺气体可以如图6中所示的硅前驱体（即第一碳前驱体）、氧反应物、第二碳前驱体和氮反应物的次序被顺序供应到反应空间950中。在实施中，供应顺序可取决于例如前驱体和各反应物之间的反应活性适当地改变。[0159]在实施中，硅前驱体（即第一碳前驱体）、氧反应物、第二碳前驱体和氮反应物的脉冲供应可形成单个循环。该循环可重复直到SiOCN材料层被形成为具有所需厚度。[0160]在图6的实施方式中，硅前驱体（即第一碳前驱体和第二碳前驱体可被顺序地供应，且硅前驱体和第二碳前驱体的供应脉冲可由净化气体的供应脉冲互相隔开。在实施中，根据前驱体和反应物的特性，在图6的实施方式中可采用如以上参考图4B-4E描述的供应硅前驱体即第一碳前驱体和第二碳前驱体的方法。[0161]在实施中，具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷的至少一种可用作第一碳前驱体，且具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物可用作第二碳前驱体。在这种情况下，由于硅原子可包括在第一碳前驱体中并由第一碳前驱体提供，硅前驱体的供应可省略，并且由于氮原子可包括在第二碳前驱体中并由第二碳前驱体提供，氮反应物的供应可省略。例如，硅前驱体和第一碳前驱体可为相同的材料，因此可在相同或单一的操作中供应。第二碳前驱体和氮反应物可为相同的材料，因此可在相同或单一的操作中供应。[0162]图7示出表示当硅前驱体和第一碳前驱体是相同的一种且第二碳前驱体和氮反应物是相同的一种时工艺气体的供应顺序的时序图。[0163]参考图7,工艺气体可以硅前驱体（即也是第一碳前驱体）、氧反应物和第二碳前驱体（即也是氮反应物）的次序被顺序供应到反应空间950中。这些工艺气体的供应脉冲可由净化气体的供应脉冲互相隔开。[0164]在实施中，工艺气体可以如图7中所示的硅前驱体（即第一碳前驱体）、氧反应物和第二碳前驱体（即氮反应物的次序被顺序供应到反应空间950中。在实施中，供应次序可取决于例如前驱体和各反应物之间的反应活性适当的改变。[0165]在实施中，硅前驱体（即第一碳前驱体）、氧反应物和第二碳前驱体（即氮反应物）的脉冲供应可形成单个循环。该循环可重复直到SiOCN材料层被形成为具有所需厚度。[0166]在图7的实施方式中，硅前驱体也是第一碳前驱体和第二碳前驱体也是氮反应物可被顺序地供应，且硅前驱体和第二碳前驱体的供应脉冲可由净化气体的供应脉冲互相隔开。在实施中，根据前驱体和反应物的特性，在图7的实施方式中可采用如以上参考图4B-4E描述的供应硅前驱体即第一碳前驱体和第二碳前驱体即氮反应物）的方法。[0167]通过使用具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷的至少一种作为第一碳前驱体，和使用具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物作为第二碳前驱体，甚至在显著低的温度例如500°C或更低的显著低的温度下，也可确保高的氧含量和高的碳含量。高的碳含量可导致耐蚀刻性的改善。高的氧含量可导致介电常数的减小。例如，通过如上描述的材料选择，形成的层的介电常数可减小到小于4.4。[0168]现将描述包含材料层堆叠体的半导体器件。[0169]图8A到8D示出在半导体衬底上具有SiOCN材料层的半导体器件100。图8A示出半导体器件100的俯视图，图8B示出半导体器件100的透视图，图8C示出半导体器件100的侧视横截面图，和图8D示出半导体器件100的栅结构120和邻近栅结构120的结构的放大横截面图。[0170]参考图8A到8D，半导体器件100可包括从衬底102突出的鳍型有源区FA。[0171]衬底102可包括半导体诸如Si或Ge，或化合物半导体诸如SiGe、SiC、GaAs、InAsSInP。在实施中，衬底102可由含III族及V族元素的材料和含IV族元素的材料的至少一种形成。含III族及V族元素的材料可为包含至少一种III族元素和至少一种V族元素的二元、三元或四元化合物。含III族及V族元素的材料可为包含In、Ga和Al的至少一种作为III族元素和As、P和Sb的至少一种作为V族元素的化合物。例如，含III族及V族元素的材料可选自InP、InzGai—zAsCXzSI和AlzGai—zAsCXzSI。例如，二元化合物可为InP、GaAs、InAs、InSb和GaSb之一。三元化合物可为InGaP、InGaAs、AlInAs、InGaSb、GaAsSb和GaAsP之一。含IV族元素的材料可为Si或Ge。在实施中，可使用由IC器件可用的合适的含III族及V族元素的材料和合适的含IV族元素的材料。在实施中，衬底102可具有绝缘体上硅SOI结构。衬底102可包括导电区，例如杂质掺杂阱或杂质掺杂结构。[0172]衬底102可由含III族及V族元素的材料或含IV族元素的材料形成，和衬底102可用作能够形成低功率和高速度晶体管的沟道材料。当NMOS晶体管形成在衬底102上时，衬底102可由以上例示的含III族及V族元素的材料之一形成。例如，衬底102可由GaAs形成。当PMOS晶体管形成在衬底102上时，衬底102可由与Si衬底相比具有更高空穴迀移率的半导体材料例如Ge形成。[0173]鳍型有源区FA可在一个方向（图8A和8B中的Y方向）延伸。覆盖鳍型有源区FA的下部侧壁的隔离层110形成在衬底102上。鳍型有源区FA在隔离层110上以鳍型突出。在实施中，隔离层11〇可由硅氧化物层、硅氮化物层、硅氧氮化物层或其组合形成。[0174]在衬底102上的鳍型有源区FA上，栅结构120可在与鳍型有源区FA的延伸方向交叉的方向（X方向）延伸。一对源漏区130可形成在鳍型有源区FA的在栅结构120的两侧例如两个相对侧上的部分上。[0175]源漏区130可包括从鳍型有源区FA外延生长的半导体层。源漏区130各自可由包含多个外延生长SiGe层、外延生长Si层或外延生长SiC层的嵌入的SiGe结构体形成。在实施中，源漏区130可具有如图8B中所示的具体形状。在实施中，源漏区130可具有各种形状。例如，源漏区130可具有任意各种横截面形状诸如圆、椭圆和多边形。[0176]MOS晶体管TR可形成在鳍型有源区FA和栅结构120之间的交叉处。MOS晶体管TR是三维（3DMOS晶体管，其中沟道形成在鳍型有源区FA的上表面和两个侧面上。MOS晶体管TR可构成NMOS晶体管或PMOS晶体管。[0177]如图8C中所示，栅结构120可包括顺序地形成在鳍型有源区FA的表面上的界面层112、高介电常数层114、第一含金属层126A、第二含金属层126B和间隙填充金属层128。栅结构120的第一含金属层126A、第二含金属层126B和间隙填充金属层128可构成栅电极120G。[0178]绝缘间隔物142可形成在栅结构120的侧壁例如两个侧壁上。绝缘间隔物142可为或可包括例如SiOCN材料层。在实施中，绝缘间隔物142各自可形成为单层。在实施中，绝缘间隔物142各自可形成为在其中至少两个材料层堆叠的多层。[0179]在实施中，绝缘间隔物142的SiOCN材料层可具有大于或等于1且小于5.0的介电常数。在实施中，绝缘间隔物142的SiOCN材料层可以具有大于或等于1且小于4.8的介电常数。在实施中，绝缘间隔物142的SiOCN材料层可以具有大于或等于1且小于4.4的介电常数。[0180]当SiOCN材料层包括例如约10原子％到约30原子％的量的碳和例如约25原子％到约50原子％的量的氧时，可实现合乎需要的低介电常数。在实施中，碳含量可为约11原子％到约20原子％。在实施中，氧含量可为约30原子％到约48原子％。在实施中，碳含量可为约15原子％到约20原子％。在实施中，氧含量可为约38原子％到约48原子％。[0181]如图8D中所示，绝缘间隔物142可具有高度Hl并且可包括上端142t和下端142b。上端142t可为距鳍型有源区FA最远例如远侧）的绝缘间隔物142的部分。下端142b可为距鳍型有源区FA最近例如相邻或接触的绝缘间隔物142的部分。[0182]绝缘间隔物142可具有这样的形状，所述形状使得其厚度例如在横向）沿从下端142b到上端142t的方向减小。例如，绝缘间隔物142的厚度可随着其高度例如距鳍型有源区FA的距离增加而减小。在实施中，绝缘间隔物142的下端142b可具有至少部分地平坦的平面。在实施中，绝缘间隔物142的下端142b可位于与界面层112的下表面相同的平面上。[0183]在实施中，绝缘间隔物142的上端142t可具有至少部分地平坦的部分或平面。在实施中，绝缘间隔物142的上端142t可位于与栅电极120G的上表面相同的平面上。[0184]当绝缘间隔物142包括如上所述的SiOCN材料层时，绝缘间隔物142可具有相对强的耐蚀刻性，且绝缘间隔物142的上部的厚度例如在横向）可大于由其它类型的材料层形成的间隔物的上部的厚度。例如，在用于形成器件的蚀刻工艺期间，较少的绝缘间隔物142可被去除，且结果，绝缘间隔物142的厚度可为更大的。如图8D中所示，当绝缘间隔物142具有高度Hl作为总高度时，下端142b可具有厚度tl。在高度H2对应于距下端142b的绝缘间隔物142的总高度的75%处，绝缘间隔物142可具有可等于或大于厚度tl的0.4倍例如，且小于或等于厚度tl的厚度t2。在对应于距下端142b的绝缘间隔物142的总高度的50%的高度H3处，绝缘间隔物142可具有可等于或大于厚度tl的0.8倍例如，且小于或等于厚度tl的厚度t3。[0185]在实施中，在对应于距下端142b的绝缘间隔物142总高度的75%的高度H2处，绝缘间隔物142可具有可等于或大于厚度tl的0.5倍例如，且小于或等于厚度tl的厚度t2。在对应于距下端142b的绝缘间隔物142总高度的50%的高度H3处，绝缘间隔物142可具有可等于或大于厚度tl的0.9倍例如，且小于或等于厚度tl的厚度t3。[0186]在实施中，层间绝缘层144可形成在绝缘间隔物142上。[0187]界面层112可形成在鳍型有源区FA的表面上。界面层112可由绝缘材料诸如氧化物层、氮化物层或氧氮化物层形成。界面层112可与高介电常数层114一起构成栅绝缘层。[0188]高介电常数层114可由具有比硅氧化物层高的介电常数的材料形成。例如，高介电常数层114可具有约10到约25的介电常数。高介电常数层114可由锆氧化物、锆硅氧化物、铪氧化物、铪氧氮化物、铪硅氧化物、钽氧化物、钛氧化物、钡锶钛氧化物、钡钛氧化物、锶钛氧化物、钇氧化物、铝氧化物、铅钪钽氧化物、铌酸铅锌或其组合形成。[0189]在实施中，第一含金属层126A可包括Ti的氮化物、Ta的氮化物、Ti的氧氮化物或Ta的氧氮化物。例如，第一含金属层126A可由一含金属层126A可通过多种气相沉积方法诸如ALD、CVD和PVD形成。[0190]在实施中，第二含金属层126B可由如下形成:对于NMOS晶体管所必需的N型含金属层，包括含有Ti或Ta的Al化合物。例如，第二含金属层126B可由TiAlC、TiAlN、TiAlCN、TiAl、[0191]在实施中，第二含金属层126B可由对于PMOS晶体管所必需的P型含金属层构成。例如，第二含金属层126B可包括]«〇、？1、1?11、？扒1^、'^、了3111、了3：、1?11财圓^的至少一种。[0192]第二含金属层126B可由单层或多层形成。[0193]第二含金属层126B可与第一含金属层126A—起调节栅结构120的功函数。栅结构120的阈值电压可由通过第一含金属层126A和第二含金属层126B的功函数调节而调节。根据一些实施方式，第一含金属层126A或第二含金属层126B可省略。[0194]当栅结构120利用替代金属栅极replacementmetalgate，RMG工艺形成时，可形成间隙填充金属层128以填充第二含金属层126B上的剩余栅空间。当在形成第二含金属层126B后没有栅空间留在第二含金属层126B上时，可不在第二含金属层126B上形成间隙填充金属层128。[0195]间隙填充金属层128可包括例如W、金属氮化物例如TiN或TaN、A1、金属碳化物、金属硅化物、金属铝碳化物、金属铝氮化物或金属硅氮化物。[0196]集成电路（IC器件可包括如图8A-8D中所示的具有3D结构沟道的FinFET。在实施中，制造包含平面MOSFET的IC器件的方法可通过多种变型和改变而提供。[0197]图9A到9F示出根据示例性实施方式的制造半导体器件的方法中的阶段的横截面图。[0198]参考图9A，在虚设栅电极120d形成在衬底102上之后，间隔物材料层142m可共形地沉积在衬底102和虚设栅电极120d的整个表面上。[0199]以上已参考图8A-8C描述了衬底102,且衬底102的重复描述可省略。[0200]在实施中，虚设栅电极120d可由例如多晶硅形成。可设置虚设栅电极120d以保证待形成栅电极的位置和空间。[0201]间隔物材料层142m可包括SiOCN材料层。在实施中，间隔物材料层142m可由SiOCN单一材料层形成。在实施中，间隔物材料层142m可由其中包括SiOCN的至少两个材料层被堆叠的多材料层形成。[0202]以上已参考图2-7描述了形成SiOCN材料层的方法，且因此其额外的描述可省略。[0203]参考图9B，间隔物材料层142m可各向异性地蚀刻以形成间隔物142。间隔物142可形成在虚设栅电极120d的侧壁上。[0204]参考图9C，可通过利用虚设栅电极120d和间隔物142作为蚀刻掩膜来部分地去除鳍型有源区FA。[0205]可进行各向异性蚀刻和或各向同性蚀刻以部分地去除鳍型有源区FA。例如，为了暴露间隔物142的下表面的至少一部分，各向异性蚀刻和各向同性蚀刻可组合，且因此可进行部分蚀刻。[0206]例如，鳍型有源区FA的暴露部分可各向异性地蚀刻至预定深度，然后可通过湿法蚀刻进行各向同性蚀刻。例如，NH4OH溶液、氢氧化三甲基铵TMAH、HF溶液、NH4F溶液或其混合物可用作湿法蚀刻的蚀刻剂。[0207]沟槽可通过利用间隔物142作为蚀刻掩膜的各向异性蚀刻形成并且可经历湿法蚀刻从而获得凹陷R，间隔物142的下表面的部分经由凹陷R暴露，如图9C中所示。例如，凹陷R可暴露在杂质区一侧上的间隔物的下表面的至少部分。[0208]在实施中，进行以暴露间隔物142的下表面的部分的湿法蚀刻可省略。[0209]然后，源漏材料层可形成在凹陷R中以形成杂质区130。源漏材料层可由Si、SiC或SiGe形成。源漏材料层可通过例如外延生长形成。在源漏材料层的外延生长期间，杂质可原位注入。在源漏材料层形成后，可通过离子注入而注入杂质。杂质区130可具有比鳍型有源区FA的上表面高的上表面。[0210]然后，层间绝缘层144可形成在杂质区130的上表面上。层间绝缘层144可为例如硅氮化物。[0211]参考图9D，可去除虚设栅电极120d以形成栅沟槽GT。通过栅沟槽GT衬底102的上表面可部分地暴露。通过栅沟槽GT暴露的半导体衬底102的部分可对应于后面将制造的半导体器件的沟道区。[0212]虚设栅电极120d可通过例如干法蚀刻或湿法蚀刻去除。[0213]参考图9E，可形成界面层112。然后，高介电常数材料层IHf、第一含金属材料层126Af、第二含金属材料层126Bf和或间隙填充金属材料层128f可顺序地形成在界面层112的上表面、栅沟槽GT的侧壁和层间绝缘层144的上表面上。例如，高介电常数材料层114f、第一含金属材料层126Af、和第二含金属材料层126Bf可沿所述上表面、所述侧壁和所述上表面共形地形成。可形成间隙填充金属材料层128f以填充由第二含金属材料层126Bf产生的沟槽。[0214]高介电常数材料层114f、第一含金属材料层126Af、第二含金属材料层126Bf和间隙填充金属材料层128f可独立地通过ALD、CVD或PVD形成。[0215]参考图9F，所得结构体可被平面化直到层间绝缘层144的上表面暴露，从而获得最终的半导体器件100。平面化可通过例如化学机械抛光CMP进行。[0216]在实施中，如图8A-8C和图9A-9F中所示，作为杂质区的源漏区可具有升高的源漏结构RSD。在实施中，杂质区130可为形成在对应于鳍型有源区FA的区域中的杂质掺杂区。[0217]当使用根据实施方式的材料层形成方法时，甚至在较低的温度下也可形成具有高的耐蚀刻性和优良的电特性的材料。[0218]例如，甚至在600°C或更低或者500°C或更低下，可制造具有小于5.0、小于4.8或小于4.4的介电常数的材料层。[0219]图10示出根据实施方式的电子设备1000的框图。[0220]参考图10，电子设备1000包括逻辑区1010和存储区1020。[0221]逻辑区1010可包括各种类型的逻辑单元，包括多个电路元件诸如晶体管和寄存器作为执行所需逻辑功能的标准单元诸如计数器和缓存器。逻辑单元可构成例如AND、NAND、0R、N0R、异ORXOR、异NORXNOR、反相器（INV、加法器ADD、缓存器BUF、延时器DLY、滤波器（FILL、多路复用器（MXTMXIT、ORANDINVERTEROAI、AND0RAO、AND0RINVERTERAOI、D触发器、复位触发器、主从触发器或锁存器。[0222]存储区1020可包括SRAM、DRAM、MRAM、RRAM和PRAM的至少一种。[0223]逻辑区1010和存储区1020的至少一个可包括选自如下的至少一种:包含以上参考图2-9E描述的SiOCN材料层作为间隔物的半导体器件100和具有由半导体器件100变型和改变的多种结构的IC器件。[0224]图11示出根据实施方式的显示驱动ICDDI1500和包含DDI1500的显示设备1520的示意性框图。[0225]参考图11，DDI1500可包括控制器1502、供电电路1504、驱动块1506和存储块1508。控制器1502接收并解码由主处理单元MPU1522施加的命令，并且控制DDI1500的块以完成对应于该命令的操作。供电电路1504响应于控制器1502的控制产生驱动电压。驱动块1506响应于控制器1502的控制通过利用由供电电路1504产生的驱动电压驱动显示面板1524。显示面板1524可为液晶显示面板或等离子体显示面板。存储块1508暂时存储输入控制器1502的命令或由控制器1502输出的控制信号，或存储必要数据片段。存储块1508可包括存储器诸如RAM或ROM。供电电路1504和驱动块1506的至少一个可包括选自如下的至少一种:包含以上参考图2-9E描述的SiOCN材料层作为间隔物的半导体器件100和具有由半导体器件100变型和改变的多种结构的IC器件。[0226]图12示出根据实施方式的CMOS反相器1600的电路图。[0227]CMOS反相器1600包括CMOS晶体管1610XM0S晶体管1610包括连接在供电端Vdd和接地端之间的PMOS晶体管1620和NMOS晶体管1630。CMOS晶体管1610可包括选自如下的至少一种:包含以上参考图2-9E描述的SiOCN材料层作为间隔物的半导体器件100和具有由半导体器件100变型和改变的多种结构的IC器件。[0228]图13示出根据实施方式的CMOSSRAM1700的电路图。[0229]CMOSSRAM1700包括一对驱动晶体管1710。两个驱动晶体管1710各自包括连接在供电端Vdd和接地端之间的PMOS晶体管1720和NMOS晶体管1730XM0SSRAM1700还包括一对传输晶体管1740。传输晶体管1740的源极被交叉连接到构成驱动晶体管1710的PMOS晶体管1720和NMOS晶体管1730的公共节点。供电端Vdd连接到PMOS晶体管1720的源极，且接地端连接到NMOS晶体管1730的源极。字线WL连接到传输晶体管1740的栅极，且位线BL和反相位线分别连接到传输晶体管1740的漏极。[0230]CMOSSRAM1700的驱动晶体管1710和传输晶体管1740的至少一个可包括选自如下的至少一种:包含以上参考图2-9E描述的SiOCN材料层作为间隔物的半导体器件100和具有由半导体器件1〇〇变型和改变的多种结构的IC器件。[0231]图14示出根据实施方式的CMOSNAND电路1800的电路图。[0232]CMOSNAND电路1800包括不同输入信号传输至其的一对CMOS晶体管。CMOSNAND电路1800可包括选自如下的至少一种:包含以上参考图2-9E描述的SiOCN材料层作为间隔物的半导体器件1〇〇和具有由半导体器件1〇〇变型和改变的多种结构的IC器件。[0233]图15示出根据实施方式的电子系统1900的框图。[0234]电子系统1900包括存储器1910和存储控制器1920。存储控制器1920控制存储器1910以响应于主机1930的请求从存储器1910执行数据读出和或执行数据写入到存储器1910。存储器1910和存储控制器1920的至少一个可包括选自如下的至少一种:包含以上参考图2-9E描述的SiOCN材料层作为间隔物的半导体器件100和具有由半导体器件100变型和改变的多种结构的IC器件。[0235]图16示出根据实施方式的电子系统2000的框图。[0236]电子系统2000包括经由总线2050互相连接的控制器2010、输入输出（10设备2020、存储器2030和接口2040。[0237]控制器2010可包括微处理器、数字信号处理器和与这些设备类似的处理设备的至少一种。10设备2020可包括小键盘、键盘和显示器的至少一种。存储器2030可存储由控制器2010执行的命令。例如，存储器2030可存储用户数据。[0238]电子系统2000可形成无线通信设备或者能够在无线环境下发送和或接收信息的设备。接口2040可由无线接口实现从而帮助电子系统2000通过无线通信网络发送接收数据。接口2040可包括天线和或无线收发器。根据一些实施方式，电子系统2000可用于第三代通信系统的通信接口协议，例如码分多址CDMA、全球移动通信系统GSM、北美数字蜂窝NADC、扩展时分多址E-TDMA和或宽带码分多址WCDMA。电子系统2000可包括选自如下的至少一种:包含以上参考图2-9E描述的SiOCN材料层作为间隔物的半导体器件100和具有由半导体器件1〇〇变型和改变的多种结构的IC器件。[0239]作为总结和回顾，当材料层在低温下形成时，材料层可不具有所需物理性质。例如，当逻辑器件中的间隔物在低温下形成时，电特性或物理性质（例如耐蚀刻性可不在所需水平。因此，即使在低温下也形成具有所需物理性质的材料层的方法可为合乎需要的。[0240]实施方式可即使在低温下也提供具有高的耐蚀刻性和优良电特性的材料层。[0241]实施方式可提供形成具有高的耐蚀刻性和优良电特性的SiOCN材料层的方法。[0242]实施方式可提供具有高的耐蚀刻性和优良电特性的材料层堆叠体。[0243]实施方式可提供包含具有高的耐蚀刻性和优良电特性的材料层堆叠体的半导体器件。[0244]实施方式可提供制造包含具有高的耐蚀刻性和优良电特性的材料层堆叠体的半导体器件的方法。[0245]实施方式可提供能够形成具有高的耐蚀刻性和优良电特性的SiOCN材料层的沉积装置。[0246]在本文中已公开了示例性实施方式，且尽管使用了具体术语，但它们仅在通用的和描述性的意义上被使用和被解释且不用于限制的目的。在一些情况中，如到本申请提交时为止对本领域普通技术人员来说明晰的，关于一个具体实施方式描述的特征、特性和或要素可单独使用或与关于其它实施方式描述的特征、特性和或要素组合使用，除非明确地另行指示。因此，本领域技术人员将理解，可进行在形式和细节方面的多种改变，而不背离如在所附权利要求中阐释的本发明的精神和范围。

权利要求：1.形成SiOCN材料层的方法，所述方法包括：提供衬底；将硅前驱体提供到所述衬底上；将氧反应物提供到所述衬底上；将第一碳前驱体提供到所述衬底上；将第二碳前驱体提供到所述衬底上；以及将氮反应物提供到所述衬底上，其中所述第一碳前驱体和所述第二碳前驱体是不同的材料。2.如权利要求1中所述的方法，其中所述第一碳前驱体和所述第二碳前驱体各自独立地是具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到15的碳数的烷基胺、具有4到15的碳数的含氮杂环化合物、具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷、或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷。3.如权利要求2中所述的方法，其中所述第一碳前驱体和所述第二碳前驱体的至少一种包括：具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物;或具有1到20的碳数的烧基娃烧、具有1到20的碳数的烧氧基娃烧、或具有1到20的碳数的烧基娃氧烧。4.如权利要求3中所述的方法，其中所述方法在600°C或更低下进行。5.如权利要求4中所述的方法，其中：所述氮反应物和所述第二碳前驱体是相同的材料，以及提供所述氮反应物和提供所述第二碳前驱体同时进行。6.如权利要求5中所述的方法，其中提供所述硅前驱体、提供所述氧反应物、提供所述第一碳前驱体、以及提供所述第二碳前驱体被包括在单个循环中。7.如权利要求5中所述的方法，其中：所述第一碳前驱体包括具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷、或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷，以及所述第二碳前驱体包括具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物。8.如权利要求7中所述的方法，其中所述第一碳前驱体包括具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷、或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷。9.如权利要求5中所述的方法，其中：所述硅前驱体和所述第一碳前驱体包括相同的材料，以及提供所述硅前驱体和提供所述第一碳前驱体同时进行。10.如权利要求9中所述的方法，其中提供所述第一碳前驱体、提供所述氧反应物、以及提供所述第二碳前驱体被包括在单个循环中。11.如权利要求10中所述的方法，其中：所述第一碳前驱体包括具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烧、或具有1到20的碳数的烧基娃氧烧，以及所述第二碳前驱体包括具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物。12.如权利要求9中所述的方法，其中所述方法在500°C或更低下进行。13.如权利要求4中所述的方法，其中：所述硅前驱体和所述第二碳前驱体是相同的材料，以及提供所述硅前驱体和提供所述第二碳前驱体同时进行。14.如权利要求13中所述的方法，其中提供所述硅前驱体、提供所述氧反应物、提供所述第一碳前驱体、以及提供所述氮反应物被包括在单个循环中。15.如权利要求13中所述的方法，其中：所述第二碳前驱体包括具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烧、或具有1到20的碳数的烧基娃氧烧，以及所述第一碳前驱体包括具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到15的碳数的烷基胺、或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物。16.制造半导体器件的方法，所述方法包括：限定从半导体衬底突出且在第一方向延伸的鳍型有源区；形成覆盖所述鳍型有源区的两个侧壁和上表面的栅电极，所述栅电极在与所述第一方向交叉的方向延伸；在所述栅电极的侧壁上形成间隔物；以及在所述有源区中分别在所述栅电极的相对侧上形成杂质区，其中形成间隔物包括形成SiOCN材料层。17.形成SiOCN材料层的方法，所述方法包括：提供衬底；将氧反应物提供到所述衬底上；将第一碳前驱体提供到所述衬底上；以及将第二碳前驱体提供到所述衬底上，其中：所述第一碳前驱体和所述第二碳前驱体是不同的材料，以及所述方法在600°C或更低的温度下进行。18.如权利要求17中所述的方法，还包括将硅前驱体提供到所述衬底上，其中所述硅前驱体与所述第一碳前驱体不同。19.如权利要求17中所述的方法，还包括将氮反应物提供到所述衬底上，其中所述氮反应物与所述第二碳前驱体不同。20.如权利要求17中所述的方法，其中：所述第一碳前驱体包括具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到15的碳数的烷基胺、具有4到15的碳数的含氮杂环化合物、具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烧氧基娃烧、或具有1到20的碳数的烧基娃氧烧，以及所述第二碳前驱体包括具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到15的碳数的烷基胺、具有4到15的碳数的含氮杂环化合物、具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烧氧基娃烧、或具有1到20的碳数的烧基娃氧烧。21.如权利要求17中所述的方法，其中所述第一碳前驱体包括具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷、或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷。22.如权利要求17中所述的方法，其中所述第二碳前驱体包括具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物。23.如权利要求17中所述的方法，其中所述SiOCN材料层包括：约10原子％到约30原子％的碳，以及约25原子％到约50原子％的氧。24.如权利要求17中所述的方法，其中所述SiOCN材料层的介电常数是1到5。25.制造半导体器件的方法，所述方法包括：限定从半导体衬底突出且在第一方向延伸的鳍型有源区；形成覆盖所述鳍型有源区的两个侧壁和上表面的栅电极，所述栅电极在与所述第一方向交叉的方向延伸；在所述栅电极的侧壁上形成间隔物；以及在所述有源区中分别在所述栅电极的相对侧上形成杂质区，其中形成间隔物包括根据权利要求1-15任一项所述的方法形成SiOCN材料层。

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